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Silicone de alta velocidade PIN Photodiode do fotodiodo do silicone da grande área S3071

Certificado
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificações
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Silicone de alta velocidade PIN Photodiode do fotodiodo do silicone da grande área S3071

Silicone de alta velocidade PIN Photodiode do fotodiodo do silicone da grande área S3071
Silicone de alta velocidade PIN Photodiode do fotodiodo do silicone da grande área S3071 Silicone de alta velocidade PIN Photodiode do fotodiodo do silicone da grande área S3071 Silicone de alta velocidade PIN Photodiode do fotodiodo do silicone da grande área S3071

Imagem Grande :  Silicone de alta velocidade PIN Photodiode do fotodiodo do silicone da grande área S3071

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Japão
Marca: Hamamatsu
Número do modelo: S3071
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Detalhes da embalagem: Tubos de
Tempo de entrega: dias 3-5work
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 311/pcs/pre

Silicone de alta velocidade PIN Photodiode do fotodiodo do silicone da grande área S3071

descrição
a área fotográfica é: φ5 milímetro Número de pixéis: 1
Encapsulado: Metal o tipo da capsulagem é: TO-8
Tensão reversa (máximo): 50V a escala da resposta espectral é: 320 a 1060 nanômetro
Destacar:

S3071

,

Fotodiodo do silicone da grande área

Descrição do produto:

Silicone PIN Photodiode da velocidade de PIN Photodiode Large Area High do silicone S3071

Características:

Fotodiodo de alta velocidade do PIN do silicone da grande área

O S3071 tem uma grande área fotossensível, mas tem a resposta de frequência excelente em 40 megahertz. Este diodo é apropriado para FSO (sistema ótico do espaço livre) e a alta velocidade pulsou detecção clara.

Características do produto

Área fotossensível: φ5.0mm

Frequência de interrupção: 40 megahertz (VR=24 V)

Confiança alta: Pacote do metal TO-8

das condições Ta=25 da medida, tipo., fotossensibilidade: λ=780 nanômetro, corrente escura: VR=24 V, frequência de interrupção: VR=24 V, capacidade terminal: VR=24 V, F =1 megahertz, λ=λp, poder equivalente do ruído: VR=24 V, λ=λp, salvo disposição em contrário

Especificações:

Comprimento de onda máximo da sensibilidade (valor típico) 920 nanômetro
Sensibilidade (valor típico) 0,54 A/W
Atual escuro (máximo) pA 10000
Tempo de elevação (valor típico) 18 MU s
Capacidade de junção (valor típico)

40 PF

3071.PNG

Silicone de alta velocidade PIN Photodiode do fotodiodo do silicone da grande área S3071 1

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xu

Telefone: 86+13352990255

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