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S8746-01 Pré-amplificadores de fotodiodos de pinos de silício Sensor fotoelétrico infravermelho Resistor integrado

Certificado
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificações
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S8746-01 Pré-amplificadores de fotodiodos de pinos de silício Sensor fotoelétrico infravermelho Resistor integrado

S8746-01 Pré-amplificadores de fotodiodos de pinos de silício Sensor fotoelétrico infravermelho Resistor integrado
S8746-01 Pré-amplificadores de fotodiodos de pinos de silício Sensor fotoelétrico infravermelho Resistor integrado

Imagem Grande :  S8746-01 Pré-amplificadores de fotodiodos de pinos de silício Sensor fotoelétrico infravermelho Resistor integrado

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Japão
Marca: Hamamatsu
Número do modelo: S8746-01
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Detalhes da embalagem: Em uma caixa
Tempo de entrega: dias 3-5work
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 1000pcs/mês

S8746-01 Pré-amplificadores de fotodiodos de pinos de silício Sensor fotoelétrico infravermelho Resistor integrado

descrição
A área fotográfica é: 5.8 × 5,8 mm Número de pixels: 1
Refrigeração e: Não resfriados Encapsulado: Metal
Materiais: Outros Voltagem inversa (máximo): 20 V
Destacar:

Sensor S8746-01 fotoelétrico infravermelho

,

Sensor fotoelétrico infravermelho dos pré-amplificadores

,

Silicone integrado Pin Photodiode do resistor

Descrição do produto:

S8746-01 Pré-amplificadores de fotodiodos de pinos de silício Sensor fotoelétrico infravermelho Resistor integrado

Características:

Com um diodo fotovoltaico com resistores de retorno integrados e condensadores para pré-amplificadores

O S8746-01 é um sensor de baixo ruído composto por fotodiodos, amplificadores operacionais, resistores de feedback e capacitores, todos embalados em um pacote muito pequeno.Quando ligado a uma fonte de alimentação, pode ser utilizado para medições de luz fraca, tais como dispositivos de análise ou dispositivos de medição.A sua superfície sensível à luz está ligada à extremidade GND, de modo a suprimir muito o ruído EMC.

Características do produto

● Adequado para determinação fotométrica precisa de ultravioleta a infravermelho próximo

● Pequeno pacote de metal com janela de quartzo: TO-8

● Área fotossensível: 5.8× 5,8 mm

● Rf=1 G incorporadoω Cf=5 pF

● Amplificador de entrada FET de baixa potência

Baixo ruído, baixo NEP

● Resistência externa para obter ganho variável

● Embalagem com função de blindagem

● Resistência ao ruído EMC

Especificações:

Voltagem inversa (máximo) 20 V
a gama de resposta espectral é 190 a 1100 nm
Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico) 960 nm
Potência equivalente ao ruído (valor típico) 15 × 10- 15.W/Hz1/2
Condições de medição Tipo: Ta=25 °C, F=10 Hz, λ=λp, salvo indicação em contrário

S8746-01 Pré-amplificadores de fotodiodos de pinos de silício Sensor fotoelétrico infravermelho Resistor integrado 0

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S8746-01 Pré-amplificadores de fotodiodos de pinos de silício Sensor fotoelétrico infravermelho Resistor integrado 2

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xu

Telefone: 86+13352990255

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