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Sensor fotoelétrico 550 nanômetro de S7686 IR, detector infravermelho fotoelétrico do feixe

Certificado
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificações
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Sensor fotoelétrico 550 nanômetro de S7686 IR, detector infravermelho fotoelétrico do feixe

Sensor fotoelétrico 550 nanômetro de S7686 IR, detector infravermelho fotoelétrico do feixe
S7686 IR Photoelectric Sensor 550 nm , Beam Photoelectric Infrared Detector
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Imagem Grande :  Sensor fotoelétrico 550 nanômetro de S7686 IR, detector infravermelho fotoelétrico do feixe

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Japão
Marca: Hamamatsu
Número do modelo: S7686
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Detalhes da embalagem: Tubos de
Tempo de entrega: dias 3-5work
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 911/pcs/pre

Sensor fotoelétrico 550 nanômetro de S7686 IR, detector infravermelho fotoelétrico do feixe

descrição
a área fotográfica é: × 2,8 2,4 milímetros Número de pixéis: 1
Refrigeração e: Não - de refrigeração Encapsulado: Cerâmico
Encapsular o tipo: Com filtro (CIE)
Destacar:

Sensor fotoelétrico de S7686 IR

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Sensor fotoelétrico 550 nanômetro do IR

,

Detector infravermelho fotoelétrico do feixe

Descrição do produto:

O fotodiodo do silicone S7686 é usado para medir a sensibilidade perto da eficiência espectral da luminescência

Características:

S7686 é um fotodiodo do silicone cujas as características de resposta espectral sejam mais perto da sensibilidade (eficiência espectral da luminescência) do olho humano do que os sensores leves visíveis tradicionais da compensação (S1133, etc.).

A resposta espectral é similar à eficiência espectral da luminescência do CIE

Pacote cerâmico, confiança alta

Área fotográfica: 2,4 × 2.8mm

Resposta de alta velocidade: 0,5 E.U. (VR=0 V, kω RL=1)

Valor do Fs: valor típico de 8% (incidência clara vertical)

Tempo de elevação (valor típico). 0,5 u s

Capacidade de junção (valor típico) 200 PF

da condição TYPE.TA =25 da medida, salvo disposição em contrário, fotossensibilidade: λ=λp, corrente escura: VR=1V, capacidade terminal: VR=0 V, f=10 quilohertz

Especificações:

Tensão reversa (máximo) 10V
a escala da resposta espectral é 480 a 660 nanômetro
o comprimento de onda máximo da sensibilidade (valor típico) era 550 nanômetro
Sensibilidade (valor típico) 0,38 A/W
Atual escuro (máximo) pA 20

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Sensor fotoelétrico 550 nanômetro de S7686 IR, detector infravermelho fotoelétrico do feixe 1Sensor fotoelétrico 550 nanômetro de S7686 IR, detector infravermelho fotoelétrico do feixe 2

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xu

Telefone: 86+13352990255

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