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Detalhes do produto:
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| tamanho da microplaqueta: | 1 mm2 | Encapsulamento: | TO46 |
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| Comprimento de onda da resposta: | 290-440 nm | Aplicação típica: | Monitorização do curado UV |
| Destacar: | Módulo UVC do sensor de GaN,Cura UV do módulo UVC do sensor,Fotodiodo de SIC |
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Descrição do produto:
Operação em modo fotovoltaico com fotodiodo UV baseado em GT-UVV-LW InGaN
Características:
Características gerais: l Material à base de Nitreto de Índio e Gállio
L Funcionamento em modo fotovoltaico
L TO-46 carcaça metálica
L Alta sensibilidade e baixa corrente escura
Aplicações: Monitoramento de LED UV, medição da dose de radiação UV, Curagem UV
Parâmetros Valor do símbolo Unidade Classificações máximas
Intervalo de temperatura de funcionamento Topt -25-85 oC
Intervalo de temperatura de armazenamento Tto -40-85 oC
Temperatura de solda (3 s) Tsol 260 oC
Voltagem inversa Vr-máximo -10 V
Características gerais (25 oC) Tamanho do chip A 1 mm2 Corrente escura (Vr = -1 V) Id
< 1 nA Coeficiente de temperatura Tc 0,05 %/ oC Capacidade (a 0 V e 1 MHz) Cp 60 p>
Especificações:
| Especificações | Parâmetros |
| Comprimento de onda máximo | 390 nm |
| Sensibilidade à luz | 0.289A/W |
| Intervalo de resposta espectral (R=0,1 × Rmax) | - 290-440 nm |
| Relação de rejeição UV visível (Rmax/R400 nm) | - > 10 |
Pessoa de Contato: Xu
Telefone: 86+13352990255
