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Detalhes do produto:
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| Colling: | De peso superior a 20 g/m2 | Comprimento de onda de corte: | 2.55 a 2.6 Um |
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| Temperatura operacional: | -40 a +85°C | Área fotossensível: | 0,3 a 3 mm |
| Temperatura de armazenamento: | -55 a +125℃ | Pacote: | TO-18 |
| Destacar: | Sensor fotoelétrico de uso industrial em infravermelho,G12183-010K Sensor fotoelétrico infravermelho,G12183-010K |
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Sensores de Fotodiodo PIN InGaAs G12183-010K Tipo de Longo Comprimento de Onda Baixo Ruído
Características
*Comprimento de onda de corte: 2,55 a 2,6 um
*Baixo custo
*Área fotossensível: oO.3 a o3 mm
*Baixo ruído
*Alta sensibilidade
*Alta confiabilidade
*Resposta de alta velocidade
*Alta sensibilidade de curto comprimento de onda
(G12183-210KA-03):0,4 A/W (A=900 nm)
Aplicações
*Medidores de potência óptica
*Análise de gases
*Medidores de umidade
*Fotometria NIR (infravermelho próximo)
Opções
*Amplificador para fotodiodo PIN InGaAs C4159-03
*Dissipador de calor para tipo resfriado por TE de um estágio A3179
*Dissipador de calor para tipo resfriado por TE de dois estágios A3179-01
(excluindo G12183-210KA-03)
*Controlador de temperatura para tipo resfriado por TE C1103-04
Especificação:
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Comprimento de onda de pico de sensibilidade (típ.)
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2,3 μm |
| Fotossensibilidade (típ.) | 1,3 A/W |
| Corrente de fuga (máx.) | 30000 nA |
| Frequência de corte (típ.) | 6 MHz |
| Capacitância de terminal (típ.) | 500 pF |
| Potência equivalente de ruído (típ.) | 1×10-12 W/Hz1/2 |
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Pessoa de Contato: Xu
Telefone: 86+13352990255