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Detalhes do produto:
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Lado receptor de luz: | 5.8 × 5,8 mm | Encapsulamento: | Metal |
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Categoria do pacote: | TO-8 | Refrigeração: | De peso superior a 20 g/m2 |
Voltagem inversa (máximo): | 5 V | Intervalo de resposta espectral: | 320 a 1000 nm |
Destacar: | S1226-8BQ Fotodiodos de pin de silício,S1226-8BK Fotodiodos de pin de silício,Fotodiodos de pin de silício de alta fiabilidade |
Fotodiodos de silício S1226-8BK
É adequado para fotometria precisa na faixa de comprimentos de onda ultravioleta a visível; suprime a sensibilidade do infravermelho próximo
Características
- Alta sensibilidade UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- Supressão da sensibilidade NIR
- Baixa corrente escura.
- Alta fiabilidade
Comprimento de onda de sensibilidade máxima (típico) | 720 nm |
Sensibilidade à luz (típica) | 0.36 A/W |
Corrente escura (máximo) | 20 pA |
Tempo de subida (típico) | 2 μs |
Capacidade de junção (típica) | 1200 pF |
Potência equivalente de ruído (típica) | 5.0 × 10- 15.W/Hz1/2 |
Fotodiodos de silício S1226-8BQ
É adequado para fotometria precisa na faixa de comprimentos de onda ultravioleta a visível; suprime a sensibilidade do infravermelho próximo
Características
- Alta sensibilidade UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- Supressão da sensibilidade NIR
- Baixa corrente escura.
- Alta fiabilidade
Lado receptor de luz | 5.8 × 5,8 mm |
Encapsulamento | metal |
Categoria do pacote | TO-8 |
refrigeração | De peso superior a 20 g/m2 |
Voltagem inversa (máximo) | 5 V |
Intervalo de resposta espectral | 190 a 1000 nm |
Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255