Detalhes do produto:
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Voltagem inversa: | 10 V | Temperatura de funcionamento: | -10 a +60 °C |
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Temperatura de armazenamento: | -20 a +70 °C | Intervalo de resposta espectral: | 480 a 660 Nm |
Comprimento de onda de sensibilidade máxima: | 550 nanômetro | Sensibilidade fotográfica: | 0.38 A/W |
Destacar: | Fotodiodo Si altamente sensível,550 nm Si fotodiodo,480-660 nm Si fotodiodo |
Diodo fotovoltaico S7686
Fotodiodo com sensibilidade próxima da eficiência luminosa espectral
S7686 é um fotodiodo de Si com uma característica de resposta espectral mais semelhante à sensibilidade do olho humano (eficiência luminosa espectral)
do que os nossos sensores convencionais visíveis-compensados (S1133, etc.).
Características:
Resposta espectral análoga à eficiência luminosa espectral CIE
Faixa de resposta espectral: 480 a 660 nm
Comprimento de onda de sensibilidade máxima: 550 nm
Embalagem cerâmica para maior fiabilidade
Área ativa: 2,4 × 2,8 mm
Resposta de alta velocidade: 0,5 μs (VR=0 V, RL=1 kΩ)
Valor fs: 8 % Tipo (entrada de luz vertical)
Aplicações:
Iluminômetro
Medidor de luminosidade
Corrente de curto-circuito | 0.45 μA |
Corrente escura | 2 pA |
Tempo de ascensão | 0.5 μs |
Capacidade terminal | 200 pF |
Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255