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S2386-45K Fotodiodo de pin de silício visível para fotometria de propósito geral IR próximo

Certificado
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificações
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S2386-45K Fotodiodo de pin de silício visível para fotometria de propósito geral IR próximo

S2386-45K Fotodiodo de pin de silício visível para fotometria de propósito geral IR próximo
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Imagem Grande :  S2386-45K Fotodiodo de pin de silício visível para fotometria de propósito geral IR próximo

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Japão
Marca: Hamamatsu
Número do modelo: S2386-45k
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Tubos
Tempo de entrega: dias 3-5work
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 3000/pcs/mês

S2386-45K Fotodiodo de pin de silício visível para fotometria de propósito geral IR próximo

descrição
Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico): 960 nm Sensibilidade (valor típico): 0.6 A/W
Corrente escura (máximo): pA 30 Tempo de subida (valor típico): 5.5 u s
Capacidade de junção (valor típico): 2300 pF Área fotossensível: 3.9 × 4,6 mm
Destacar:

S2386-45k

,

Linearidades altas do fotodiodo do silicone

Descrição do produto:

S2386-45K Fotodiodo de pin de silício visível para fotometria de propósito geral IR próximo

Características:

Adequado para a luz visível na faixa infravermelha próxima, determinação fotométrica geral

Características do produto

Alta sensibilidade nas bandas visíveis a infravermelhas próximas

Corrente escura baixa

Alta fiabilidade

Alta linearidade

Especificações:

Área sensível 3.9 × 4,6 mm
Número de pixels 1
Refrigeração e Não resfriados
Encapsulado Metal
Tipo de encapsulamento TO-5
Voltagem inversa (máxima) 30 V
O intervalo de resposta espectral é 320 a 1100 nm

S2386-45K Fotodiodo de pin de silício visível para fotometria de propósito geral IR próximo 0

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xu

Telefone: 86+13352990255

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