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S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silício de baixa capacidade UV para NIR para fotometria de precisão

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S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silício de baixa capacidade UV para NIR para fotometria de precisão

S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silício de baixa capacidade UV para NIR para fotometria de precisão
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Imagem Grande :  S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silício de baixa capacidade UV para NIR para fotometria de precisão

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Japão
Marca: Hamamatsu
Número do modelo: S1336-44BQ
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Tubos
Tempo de entrega: dias 3-5work
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 1000pcs/mês

S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silício de baixa capacidade UV para NIR para fotometria de precisão

descrição
Área sensível: 3.6 × 3.6 mm Número de pixels: 1
Refrigeração e: Não resfriados Encapsulamento: Metal
Tipo de encapsulamento: TO-5 Voltagem inversa (máxima): 5V
Destacar:

S1336-44BQ

,

Pin Avalanche Photodiode

Descrição do produto:

S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silício de baixa capacidade UV para NIR para fotometria de precisão

Características:

Alta sensibilidade na faixa UV

Baixa capacidade

Alta fiabilidade

Especificações:

O intervalo de resposta espectral é 190 a 1100 nm
Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico) 960 nm
Sensibilidade (valor típico) 0.5A/W
Corrente escura (máximo) 50 pA
Tempo de subida (valor típico) 0.5 mu s
Capacidade de junção (valor típico) 150 pF

Resposta espectral:

S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silício de baixa capacidade UV para NIR para fotometria de precisão 0

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Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xu

Telefone: 86+13352990255

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