Detalhes do produto:
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A área fotográfica é: | 20,8 × 2,4 mm | Número de pixels: | 1 |
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Refrigeração e: | Não resfriados | Encapsulado: | De aço inoxidável |
Destacar: | Sensor fotoelétrico de S7686 IR,Sensor fotoelétrico 550 nanômetro do IR,Detector infravermelho fotoelétrico do feixe |
Descrição do produto:
S7686 SI Sensor de fotodiodo com sensibilidade próxima da eficiência luminosa espectral
Características:
S7686 is a silicon photodiode whose spectral response characteristics are closer to the sensitivity (spectral luminescence efficiency) of the human eye than traditional visible light compensation sensors (S1133, etc.).
A resposta espectral é semelhante à eficiência de luminescência espectral CIE
Embalagem cerâmica, alta fiabilidade
Área fotográfica: 2.4× 2,8 mm
Resposta de alta velocidade: 0,5 US (VR=0 V, RL=1 k)O)
Valor Fs: 8% do valor típico (incidência de luz vertical)
Tempo de subida (valor típico).0.5 u s
Capacidade de junção (valor típico) 200 pF
Condição de medição TYP.TA =25°C, salvo indicação em contrário,Fotosensibilidade: λ=λp, Corrente escura: VR=1V, Capacidade terminal:VR=0 V, f=10 kHz
Especificações:
Voltagem inversa (máximo) | 10 V |
a gama de resposta espectral é | 480 a 660 nm |
O comprimento de onda da sensibilidade máxima (valor típico) foi | 550 nm |
Sensibilidade (valor típico) | 0.38 A/W |
Corrente escura (máxima) | 20 pA |
Pessoa de Contato: Xu
Telefone: 86+13352990255