Detalhes do produto:
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Material: | matéria-prima do nitreto do gálio | Faixa larga: | Fotodiodo de UVA+UVB+UVC |
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Princípio: | Funcionamento no modo fotovoltaico | Empacotamento: | TO-46 |
Objeto de teste: | Detecção ultravioleta | ||
Destacar: | Sensor UV GS-AB-S do fotodiodo,Sensor UV GaN-baseado do fotodiodo,Fotodiodo UV de UVA |
Descrição do produto:
GS-AB-S GaN-baseou o fotodiodo UV
Características:
Fotodiodo largo da faixa UVA+UVB+UVC
Operação fotovoltaico do modo
Alojamento de TO-46metal
Boa cegueira visível
Responsivity alto e baixa corrente escura
Monitoração UV do índice, medida UV da dose de radiação, detecção da chama
Especificação
Parâmetros | Símbolo | Valor | Unidade |
Avaliações máximas | |||
Variação da temperatura da operação | Topt | -25-85 | OC |
Variação da temperatura do armazenamento | Tsto | -40-85 | OC |
Temperatura de solda (3 s) | Tsol | 260 | OC |
Tensão reversa | Vr-máximo | -10 | V |
Características gerais (25 OC) | |||
Tamanho da microplaqueta | 1 | mm2 | |
Atual escuro (Vr = -1 V) | Identificação | <1> | nA |
Coeficiente de temperatura (@265 nanômetro) | Tc | 0,05 | % de OC |
Capacidade (em 0 V e em 1 megahertz) | Cp | 18 | PF |
Características de resposta espectral (25 OC) | |||
Comprimento de onda do responsivity máximo | λ p | 355 | nanômetro |
Responsivity máximo (em 355 nanômetro) | Rmax | 0,20 | A/W |
Escala da resposta espectral (R=0.1×Rmax) | - | 210-370 | nanômetro |
relação de rejeção Uv-visível (Rmax/R400 nanômetro) | - | >104 | - |
Especificações:
Especificações | Parâmetros |
Comprimento de onda máximo | 355NM |
Sensibilidade clara | 0.20A/W |
Tempo de elevação | 3US |
Condições de teste | valores típicos, Ta=25° |
Pessoa de Contato: Xu
Telefone: 86+13352990255