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Detalhes do produto:
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| a área fotossensível é: | φ1,0 mm | Número de pixels: | 1 |
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| Encapsulado: | Metal | O tipo de encapsulamento é: | TO-18 |
| Modo de arrefecimento: | Não resfriados | a gama de resposta espectral é: | 00,9 a 1,7 μm |
| Destacar: | Sensor G8370-81 fotoelétrico infravermelho,Baixo PDL do sensor fotoelétrico infravermelho,Fotodiodo do PIN de InGaAs |
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Descrição do produto:
G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baixo PDL Polarização Dependência Perda
Características:
Baixa PDL (perda dependente da polarização)
O fotodiodo InGaAs PIN G8370-81 possui baixo PDL (perda dependente da polarização), grande resistência à cagança e ruído muito baixo a 1.55- Não.
Características do produto
Baixa PDL (perda dependente da polarização)
● Baixo ruído, baixa corrente escura
● Grande área fotográfica
● Área fotossensível:φ1 mm
Potência equivalente ao ruído (valor típico) 2×10-14 W/hz1/2
Condições de medição TYP.TA =25°C, Fotossensibilidade: λ=λp, Corrente escura: VR=1 V, Frequência de corte:VR=1 V, RL=50ω, -3 dB, capacidade terminal: VR=1 V, F=1 MHz, salvo indicação em contrário
Especificações:
| O comprimento de onda da sensibilidade máxima (valor típico) foi | 10,55 μm |
| Sensibilidade (valor típico) | 1.1 A/W |
| Corrente escura (máxima) | 5 nA |
| Frequência de corte (valor típico) | 35 MHz |
| Capacidade de junção (valor típico) | 90 pF |
| Potência equivalente ao ruído (valor típico) | 2×10-14 W/hz1/2 |
Pessoa de Contato: Xu
Telefone: 86+13352990255
