|
Detalhes do produto:
|
| A área fotográfica é: | × 2,4 2,4 milímetros | Refrigeração e: | Não resfriados |
|---|---|---|---|
| Encapsulado: | Metal | O tipo de encapsulamento é: | TO-5 |
| Destacar: | Sensor fotoelétrico infravermelho de S1336-5BQ,Sensor fotoelétrico infravermelho ultravioleta,Sensor reflexivo fotoelétrico |
||
Descrição do produto:
S1336-5BQ Fotodiodo de silício UV para NIR para fotometria de precisão
Características:
Adequado para determinação fotométrica precisa de ultravioleta a infravermelho próximo
Características
● Alta sensibilidade na faixa ultravioleta
Baixa baixa capacidade
● Alta confiabilidade
Tempo de subida (valor típico).0.2 u s
Capacidade de junção (valor típico) 65 pF
Condição de medição Ta=25°C, Tipo, Salvo indicação em contrário, Fotossensibilidade: λ=960 nm, Corrente escura: VR=10 mV, Tempo de elevação:VR=0 V, capacidade terminal: VR=0 V, f=10 kHz
Especificações:
| Voltagem inversa (máximo) | 5V |
| a gama de resposta espectral é | 190 a 1100 nm |
| Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico) | 960 nm |
| Sensibilidade (valor típico) | 0.5 A/W |
| Corrente escura (máxima) | 30 pA |
Pessoa de Contato: Xu
Telefone: 86+13352990255
