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S2386-8K Sensor fotoelétrico infravermelho 10 mV Fotodiodo de carburo de silício de baixa corrente escura

Name: S2386-8K Sensor fotoelétrico infravermelho 10 mV Fotodiodo de carburo de silício de baixa corrente escura
Brand: ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.
SKU: S2386-8K
Price: 18.00 USD
Availability: InStock

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CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificações

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S2386-8K Sensor fotoelétrico infravermelho 10 mV Fotodiodo de carburo de silício de baixa corrente escura

Imagem Grande : S2386-8K Sensor fotoelétrico infravermelho 10 mV Fotodiodo de carburo de silício de baixa corrente escura

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Japão
Marca:	Hamamatsu
Número do modelo:	S2386-8K

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1
Preço:	Negociável
Detalhes da embalagem:	Tubos
Tempo de entrega:	dias 3-5work
Termos de pagamento:	L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	3000/pcs/mês

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S2386-8K Sensor fotoelétrico infravermelho 10 mV Fotodiodo de carburo de silício de baixa corrente escura

descrição

A área fotográfica é:	5.8 × 5,8 mm	Número de pixels:	1
Refrigeração e:	Não resfriados	O tipo de encapsulamento é:	TO-8
Voltagem inversa (máximo):	30 V	Intervalo de resposta espectral:	320 a 1100 Nm
Destacar:	Sensor fotoelétrico infravermelho de S2386-8K , Sensor fotoelétrico infravermelho 10 milivolt , Fotodiodo do carboneto de silicone

Descrição do produto:

S2386-8K Sensor fotoelétrico infravermelho 10 mV Fotodiodo de carburo de silício de baixa corrente escura

Características:

Adequado para a luz visível até à faixa infravermelha próxima, determinação fotométrica universal

Características do produto

● Alta sensibilidade na faixa visível e infravermelha próxima

● Baixa corrente escura

● Alta confiabilidade

● Alta linearidade

Tempo de subida (valor típico).10 mu s

Capacidade de junção (valor típico) 4300 pF

Condição de medição TYP.TA =25°C, Salvo indicação em contrário,Fotosensibilidade: λ=960 nm, Corrente escura: VR=10 mV, Capacidade terminal:VR=0 V, f=10 kHz

Especificações:

a gama de resposta espectral é	320 a 1100 nm
Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico)	960 nm
Sensibilidade (valor típico)	0.6 A/W
Corrente escura (máximo)	50 pA

S2386-8K Sensor fotoelétrico infravermelho 10 mV Fotodiodo de carburo de silício de baixa corrente escura 0

S2386-8K Sensor fotoelétrico infravermelho 10 mV Fotodiodo de carburo de silício de baixa corrente escura 1

etiqueta:

Pessoa de Contato: Xu

Telefone: 86+13352990255

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A área fotográfica é: 20,8 × 2,4 mm

Número de pixels: 1

Refrigeração e: Não resfriados

Encapsulado: De aço inoxidável

S8746-01 Pré-amplificadores de fotodiodos de pinos de silício Sensor fotoelétrico infravermelho Resistor integrado

A área fotográfica é: 5.8 × 5,8 mm

Número de pixels: 1

Refrigeração e: Não resfriados

Encapsulado: Metal

S9706 Sensor digital RGB de três cores de 12 bits de saída digital de baixa tensão

Embalagem: Plastico

Tipo de encapsulamento: Tipo de superfície da montagem

Tamanho da embalagem: 4.0 x 4,7 x 2,6 mm

A área fotográfica é: 1.2 x 1.2 mm

S8745-01 Fotodiodo de silício com sensor de baixo ruído do pré-amplificador

A área fotográfica é: × 2,4 2,4 milímetros

Refrigeração e: Não resfriados

Encapsulado: Metal

Material: Outros

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