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S12060-02 Fotodiodo de avalanche de silício Senspr Baixo coeficiente de temperatura Tipo de APD para banda de 800 Nm

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S12060-02 Fotodiodo de avalanche de silício Senspr Baixo coeficiente de temperatura Tipo de APD para banda de 800 Nm

S12060-02 Fotodiodo de avalanche de silício Senspr Baixo coeficiente de temperatura Tipo de APD para banda de 800 Nm
S12060-02 Fotodiodo de avalanche de silício Senspr Baixo coeficiente de temperatura Tipo de APD para banda de 800 Nm S12060-02 Fotodiodo de avalanche de silício Senspr Baixo coeficiente de temperatura Tipo de APD para banda de 800 Nm S12060-02 Fotodiodo de avalanche de silício Senspr Baixo coeficiente de temperatura Tipo de APD para banda de 800 Nm

Imagem Grande :  S12060-02 Fotodiodo de avalanche de silício Senspr Baixo coeficiente de temperatura Tipo de APD para banda de 800 Nm

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: Hamamatsu
Número do modelo: S12060-02
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Embalagem padrão
Tempo de entrega: 5-8workingdays
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 1000 PCS/MÊS
Contato

S12060-02 Fotodiodo de avalanche de silício Senspr Baixo coeficiente de temperatura Tipo de APD para banda de 800 Nm

descrição
Tipo: Próximo infravermelho (coeficiente de baixa temperatura) Superfície receptor de luz: φ0,2 mm
Pacote: Metal Categoria do pacote: TO-18
Destacar:

S12060-02 Diodo de Avalanche

,

Diodo de Avalanche de Coeficiente

,

Diodo de Avalanche de Baixa Temperatura

S12060-02 Fotodiodo de avalanche de silício Senspr Baixo coeficiente de temperatura Tipo de APD para banda de 800 Nm

 

Características:

Coeficiente de temperatura da tensão de ruptura:
0.4 V/°C
Resposta de alta velocidade
Alta sensibilidade e baixo ruído

 

Aplicações:

Dispositivos de detecção de distâncias
FSO
Comunicações de fibra óptica

 

Ficha de dados:

Comprimento de onda de sensibilidade máxima (típico) 800 nm
Faixa de comprimentos de onda de sensibilidade 400 a 1000 nm
Fotossensibilidade (típica) 0.5 A/W
Corrente escura (máxima) 0.5 nA
Frequência de corte (típica) 1000 MHz
Capacidade de junção (típica) 1.5 pF
Tensão de ruptura (típica) 200 V
Coeficiente de temperatura da tensão de ruptura (tipo) 0.4 V/°C
Relatório de ganhos (valor típico) 100

 

S12060-02 Fotodiodo de avalanche de silício Senspr Baixo coeficiente de temperatura Tipo de APD para banda de 800 Nm 0

 

etiqueta:

Cortinas solares do sensor UV da chama,

sensor UV da chama 0.25mm2,

sensor leve UV da detecção de 370 nanômetro

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xu

Telefone: 86+13352990255

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