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Detalhes do produto:
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| Tipo: | Tipo infravermelho próximo | Área fotossensível: | φ1 mm |
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| pacote: | Metal | Categoria de pacote: | TO-18 |
| Comprimento de onda de sensibilidade máxima (típico): | 800 Nm | Faixa de resposta espectral: | 400 a 1000 Nm |
| Destacar: | S12060-10,S12060-10 Fotodiodo de Si,Fotodiodo Si altamente sensível |
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S12060-10 APD de Si de infravermelho próximo com baixo coeficiente de temperatura do tipo APD para banda de 800nm
Este é um APD de Si de infravermelho próximo na banda de 800nm que pode operar de forma estável em uma ampla faixa de temperatura. Adequado para aplicações como telêmetros ópticos e FSO (óptica de espaço livre).
Características
- Coeficiente de temperatura da tensão de ruptura: 0,4 V/°C
- Resposta de alta velocidade
- Alta sensibilidade, baixo ruído
| Sensibilidade (típica) | 0,5 A/W |
| Corrente de fuga (máxima) | 2 nA |
| Frequência de corte (típica) | 600 MHz |
| Capacitância terminal (típica) | 6 pF |
| Tensão de ruptura (típica) | 200 V |
| Coeficiente de temperatura da tensão de ruptura (típico) | 0,4 V/°C |
| Ganho (típico) | 100 |
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Pessoa de Contato: Xu
Telefone: 86+13352990255