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Detalhes do produto:
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| Área fotossensível: | Diâmetro 0,2 mm | Tensão reversa: | 0 para VBR |
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| Material de vedação: | Resina de Silicone | Temperatura de aquecimento: | -40 a +105℃ |
| Tensão de alimentação: | 4.0V | Pacote: | Epóxi de vidro |
| Destacar: | Sensor fotoelétrico de resina de silicone em infravermelho,Sensor fotoelétrico de infravermelho selado,S16429-01CT Sensor fotoelétrico infravermelho |
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S16429-01CT Fotosensor com IC frontal integrado em APD estabilizado de ganho
Características
- Ganho estável face às flutuações de temperatura
- Não é necessário ajuste de ganho de acordo com diferenças individuais
- Amplificador de transimpedância de alta velocidade: 300 MHz
- Barulho baixo.
- Não tocas.
Especificações:
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Pacote
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Epoxi de vidro |
| Número de canais | 1 ch |
| Área fotossensível/ch | φ0,2 mm |
| Intervalo de resposta espectral | 400 a 1100 nm |
| Comprimento de onda de sensibilidade máxima | 840 nm |
| Fotossensibilidade | 0.5 A/W |
| Frequência de corte de banda alta | 300 MHz |
| Notas | Fotossensibilidade: λ=905 nm, M=1 |
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Pessoa de Contato: Xu
Telefone: 86+13352990255