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Detalhes do produto:
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| Corrente escura (máximo): | nA 5 | Frequência de corte (valor típico): | 900 megahertz |
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| Capacidade de junção (típica): | 2 PF | Voltagem de ruptura (valor típico): | 150 V |
| Destacar: | Fotodiodo de avalanche de silício APD,APD de comprimento de onda curto |
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Descrição do produto:
S12053-10 APD de silício Avalanche Photodiode Tipo de comprimento de onda curto APD
Características:
peculiaridade
- Alta sensibilidade e baixo ruído na faixa UV a visível
Tipo Tipo de comprimento de onda curto
(Operação de baixo desvio)
Superfície receptora φ0,2 mm
Outros metais
Categoria de embalagem TO-18
Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico) 620 nm
Faixa de comprimento de onda de sensibilidade de 200 a 1000 nm
Fotossensibilidade (valor típico) 0,42 A/W
Corrente escura (máximo) 5 nA
Frequência de corte (valor típico) 900 MHz
Capacidade de junção (típica) 2 pF
Tensão de ruptura (valor típico) 150 V
Coeficiente de temperatura da tensão de ruptura (valor típico) 0,14 V/°C
Taxa de ganho (valor típico) 50
Condições de medição Valor típico Ta = 25°C, salvo indicação em contrário,
Sensibilidade: λ = 620 nm, M = 1
Especificações:
| Voltagem inversa (máximo) | 5 nA |
| Intervalo de resposta espectral | 200 a 1000 nm |
| Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico) | 620 nm |
| Taxa de ganho (valor típico) | 50 |
Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255
