|
Detalhes do produto:
|
| Dissipação de calor: | Tipo não resfriado | Voltagem inversa (máximo): | 10 V |
|---|---|---|---|
| Faixa de comprimentos de onda de sensibilidade: | 320 a 1000 nm | Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico): | 720 Nm |
| Destacar: | Fotodiodo de silício visível,Pacote de plástico transparente Fotodiodo de silício |
||
Descrição do produto:
S6931-01 Fotodiodo de silício em embalagem de plástico transparente visível na faixa infravermelha próxima
Características:
Fotodiodo de silício moldado num pacote de plástico transparente
peculiaridade
- Visível na faixa infravermelha próxima (tipo de sensibilidade infravermelha suprimida)
Parâmetro detalhado
Superfície receptora 2,4 × 2,8 mm
Plastico de encapsulamento
Categoria do pacote --
Tipo não arrefecido de dissipação de calor
Voltagem inversa (máximo) 10 V
Faixa de comprimento de onda de sensibilidade 320 a 1000 nm
Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico) 720 nm
Fotossensibilidade (valor típico) 0,48 A/W
Corrente escura (máximo) 20 pA
Tempo de elevação (valor típico) 0,5 μs
Capacidade de junção (valor típico) 200 pF
Valores típicos das condições de medição Ta=25°C, fotossensibilidade: λ = λp, corrente escura: VR = 1 V, capacitância de junção: VR = 0 V, f = 10 kHz, salvo indicação em contrário
Característica de sensibilidade espectral
Especificações:
| Fotossensibilidade (valor típico) | 0.48 A/W |
| Corrente escura (máximo) | 20 pA |
| Tempo de subida (valor típico) | 0.5 μs |
| Capacidade de junção (valor típico) | 200 pF |
Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255
