YJJ S1337-66BQ O fotodiodo de silício é adequado para fotometria de precisão nas bandas ultravioleta a infravermelha

Descrição do produto:

S1337-66BQ O fotodiodo de silício é adequado para fotometria de precisão nas faixas ultravioleta a infravermelha

Características:

Adequado para fotometria precisa em faixas ultravioleta a infravermelha

peculiaridade

- Alta sensibilidade UV: QE 75% (λ=200 nm)

- Baixa capacidade

Superfície receptora 5,8 × 5,8 mm

Cerâmica encapsulada

Categoria do pacote --

Tipo de refrigeração não arrefecida

Voltagem inversa (máximo) 5 V

Faixa de resposta espectral de 190 a 1100 nm

Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico) 960 nm

Fotossensibilidade (valor típico) 0,5A/W

Corrente escura (máximo) 100 pA

Tempo de elevação (valor típico) 1 μs

Capacidade de junção (típica) 380 pF

Potência equivalente de ruído (valor típico) 1,3 × 10-14 W/Hz1/2

Valores típicos das condições de medição Ta=25°C, fotossensibilidade: λ = 960 nm, corrente escura: VR = 10 mV, capacitância de junção: VR = 0 V, f = 10 kHz, salvo indicação em contrário

Especificações: