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Detalhes do produto:
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| Reverse voltage (Max.): | 5 V | Dark current (Max.): | 50 pA |
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| Photosensitivity (typical value): | 0.62 A/W | Rise time (typical value): | 0.2μs |
| Destacar: | Fotodiodos de silício de precisão,Diodos fotódios de silício a infravermelho,Fotodiodos de silício fotométricos ultravioleta |
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Descrição do produto:
S1337-16BR É adequado para fotodiodos de silício fotométricos de precisão nas faixas ultravioleta a infravermelha
Características:
Superfície receptora 5,9 × 1,1 mm
Cerâmica encapsulada
Categoria do pacote --
Tipo de refrigeração não arrefecida
Voltagem inversa (máximo) 5 V
Intervalo de resposta espectral de 340 a 1100 nm
Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico) 960 nm
Fotossensibilidade (valor típico) 0,62 A/W
Corrente escura (máximo) 50 pA
Tempo de elevação (valor típico) 0,2 μs
Capacidade de junção (típica) 65 pF
Potência equivalente de ruído (valor típico) 8,4×10-15 W/Hz1/2
Valores típicos das condições de medição Ta=25°C, fotossensibilidade: λ = 960 nm, corrente escura: VR = 10 mV, capacitância de junção: VR = 0 V, f = 10 kHz, salvo indicação em contrário
Característica de sensibilidade espectral
Especificações:
| Intervalo de resposta espectral | 340 a 1100 nm |
| Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico) | 960 nm |
| Fotossensibilidade (valor típico) | 0.62A/W |
| Corrente escura (máximo) | 50 pA |
Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255
