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Detalhes do produto:
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| Receiving surface: | 3.6 × 3.6 mm | Package: | Metal |
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| Package category: | TO-5 | Reverse voltage (Max.): | 5V |
| Destacar: | Fotodiodo de silício ultravioleta,Fotometria de precisão Fotodiodo de silício,Fotodiodo de silício de alta sensibilidade UV |
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Descrição do produto:
S1226-44BQ Fotodiodo de silício de alta sensibilidade UV é adequado para fotometria de precisão da luz ultravioleta à luz visível
Características:
Adequado para fotometria de precisão em comprimentos de onda ultravioleta a visível; suprimir a sensibilidade perto do infravermelho
peculiaridade
- Alta sensibilidade UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- Suprimir a sensibilidade ao infravermelho próximo
- Baixa corrente escura.
- Alta fiabilidade
Superfície receptora 3,6 × 3,6 mm
Outros metais
Categoria de embalagem TO-5
Tipo de refrigeração não arrefecida
Voltagem inversa (máximo) 5 V
Faixa de resposta espectral de 190 a 1000 nm
Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico) 720 nm
Fotossensibilidade (valor típico) 0,36A/W
Corrente escura (máximo) 10 pA
Tempo de elevação (valor típico) 1 μs
Capacidade de junção (valor típico) 500 pF
Potência equivalente de ruído (valor típico) 3,6 × 10-15 W/Hz1/2
Condições de medição Ta = 25°C, valor típico, sensibilidade: λ = 720 nm, corrente escura: VR = 10 mV, capacitância de junção: VR = 0 V, f = 10 kHz, salvo indicação em contrário
Especificações:
| Intervalo de resposta espectral | 190 a 1000 nm |
| Comprimento de onda de sensibilidade máxima | 720 nm |
| Fotossensibilidade (valor típico) | 0.36A /W |
| Corrente escura (máximo) | 2 pA |
Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255
