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YJJ G12183-010K InGaAs PIN Photodiode Tipo de comprimento de onda longo (com comprimento de onda de corte: 2,6 μm)

Certificado
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificações
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YJJ G12183-010K InGaAs PIN Photodiode Tipo de comprimento de onda longo (com comprimento de onda de corte: 2,6 μm)

YJJ G12183-010K InGaAs PIN Photodiode Tipo de comprimento de onda longo (com comprimento de onda de corte: 2,6 μm)
YJJ G12183-010K InGaAs PIN Photodiode Long wavelength Type (cut-off wavelength: 2.6μm)
YJJ G12183-010K InGaAs PIN Photodiode Tipo de comprimento de onda longo (com comprimento de onda de corte: 2,6 μm) YJJ G12183-010K InGaAs PIN Photodiode Tipo de comprimento de onda longo (com comprimento de onda de corte: 2,6 μm) YJJ G12183-010K InGaAs PIN Photodiode Tipo de comprimento de onda longo (com comprimento de onda de corte: 2,6 μm) YJJ G12183-010K InGaAs PIN Photodiode Tipo de comprimento de onda longo (com comprimento de onda de corte: 2,6 μm)

Imagem Grande :  YJJ G12183-010K InGaAs PIN Photodiode Tipo de comprimento de onda longo (com comprimento de onda de corte: 2,6 μm)

Detalhes do produto:
Place of Origin: Japan
Marca: HAMAMATSU
Model Number: G12183-010K
Condições de Pagamento e Envio:
Minimum Order Quantity: 1
Packaging Details: piping
Delivery Time: 3 days
Payment Terms: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Supply Ability: 2200

YJJ G12183-010K InGaAs PIN Photodiode Tipo de comprimento de onda longo (com comprimento de onda de corte: 2,6 μm)

descrição
Photosensitivity (typical value): 1.3 A/W Dark current (Max.): 30000 nA
Cut-off frequency (typical value): 6 MHz Junction capacitance (typical value): 500 pF
Destacar:

Fotodiodo PIN InGaAs de comprimento de onda longo

,

2.6μm InGaAs PIN fotodiodo

Descrição do produto:

G12183-010K InGaAs PIN Fotodiodo de comprimento de onda longo Tipo (com comprimento de onda de corte: 2,6μm)

Características:

Tipo de comprimento de onda comprido (corte de comprimento de onda: 2,6 μm)

peculiaridade

- comprimento de onda de corte: 2,6 μm

- Baixo custo.

- Superfície receptora: φ1 mm

- Barulho baixo.

- Alta sensibilidade

- Alta fiabilidade

- Resposta de alta velocidade.

Superfície receptora φ1,0 mm

Número de pixels 1

Outros metais

Categoria de embalagem TO-18

Tipo não arrefecido de dissipação de calor

Faixa de comprimento de onda de sensibilidade de 0,9 a 2,6 μm

Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico) 2,3 μm

Fotossensibilidade (valor típico) 1,3 A/W

Corrente escura (máximo) 30000 nA

Frequência de corte (valor típico) 6 MHz

Capacidade de junção (valor típico) 500 pF

Potência equivalente de ruído (valor típico) 1×10-12 W/Hz1/2

Valor típico das condições de medição Tc = -25°C, salvo indicação em contrário, sensibilidade: λ = λp, corrente escura: VR = 0,5V, frequência de corte: VR = 0V, RL = 50Ω, capacitância de junção: VR = 0V,f = 1MHz

Especificações:

Categoria do pacote TO18
Faixa de comprimentos de onda de sensibilidade 00,9 a 2,6 μm
Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico) 2.3 μm
Fotossensibilidade (valor típico) 1.3 A/W

YJJ G12183-010K InGaAs PIN Photodiode Tipo de comprimento de onda longo (com comprimento de onda de corte: 2,6 μm) 0

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Miss. Xu

Telefone: 86+13352990255

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