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Detalhes do produto:
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Lado receptor de luz: | 5.8 × 5,8 mm | Encapsulamento: | Cerâmica |
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Refrigeração: | De peso superior a 20 g/m2 | Voltagem inversa (máximo): | 5 V |
Intervalo de resposta espectral: | 190 a 1100 Nm | Sensibilidade à luz (típica): | 0.5 A/W |
Destacar: | Fotodiodos de silício de baixa capacidade,S1337-66BQ Fotodiodos de silício,S1337-33BQ Fotodiodos de silício |
Fotodiodos de silício S1337-66BQ
É adequado para fotometria precisa na faixa ultravioleta a infravermelha
Características
- Alta sensibilidade UV: QE 75% (λ=200 nm)
- Baixa capacidade
Comprimento de onda de sensibilidade máxima (típico) | 960 nm |
Corrente escura (máximo) | 100 pA |
Tempo de subida (típico) | 1 μs |
Capacidade de junção (típica) | 380 pF |
Potência equivalente de ruído (típica) | 1.3×10-14 W/Hz1/2 |
Fotodiodos de silício S1337-33BQ
É adequado para fotometria precisa na faixa ultravioleta a infravermelha
Características
- Alta sensibilidade UV: QE 75% (λ=200 nm)
- Baixa capacidade
Lado receptor de luz | 2.4 × 2,4 mm |
Encapsulamento | Cerâmica |
refrigeração | De peso superior a 20 g/m2 |
Voltagem inversa (máximo) | 5 V |
Intervalo de resposta espectral | 190 a 1100 nm |
Sensibilidade à luz (típica) | 0.5 A/W |
Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255