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Detalhes do produto:
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| Lado receptor de luz: | 10 × 10 mm | Encapsulamento: | Cerâmica |
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| Refrigeração: | De peso superior a 20 g/m2 | Voltagem inversa (máximo): | 5 V |
| Intervalo de resposta espectral: | 190 a 1100 Nm | Corrente escura (máximo): | pA 200 |
| Destacar: | Fotodiodos de silício de baixa capacidade,S1337-1010BR Fotodiodos de silício,S1337-1010BQ Fotodiodos de silício |
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Fotodiodos de silício S1337-1010BQ
É adequado para fotometria precisa na faixa ultravioleta a infravermelha
Características
- Alta sensibilidade UV: QE 75% (λ=200 nm)
- Baixa capacidade
| Comprimento de onda de sensibilidade máxima (típico) | 960 nm |
| Sensibilidade à luz (típica) | 0.5 A/W |
| Tempo de subida (típico) | 3 μs |
| Capacidade de junção (típica) | 1100 pF |
| Potência equivalente de ruído (típica) | 1.8×10- 14W/Hz1/2 |
Fotodiodos de silício S1337-1010BR
É adequado para fotometria precisa na faixa ultravioleta a infravermelha
Características
- Baixa capacidade
| Lado receptor de luz | 10 × 10 mm |
| Encapsulamento | Cerâmica |
| Intervalo de resposta espectral | 340 a 1100 nm |
| Comprimento de onda de sensibilidade máxima (típico) | 960 nm |
| Sensibilidade à luz (típica) | 0.62 A/W |
| Corrente escura (máximo) | 200 pA |
Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255
