Detalhes do produto:
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Lado receptor de luz: | × 2,4 2,4 milímetros | Encapsulamento: | Cerâmica |
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Refrigeração: | De peso superior a 20 g/m2 | Voltagem inversa (máximo): | 5 V |
Intervalo de resposta espectral: | 190 a 1000 Nm | Sensibilidade à luz (típica): | 0.36 A/W |
Destacar: | De potência não superior a 1000 W,Fotodiodos de silício IR suprimidos,S1227-33BQ Fotodiodos de silício |
Fotodiodos de silício S1227-33BQ
É adequado para fotometria precisa na faixa de comprimentos de onda ultravioleta a visível; suprime a sensibilidade infravermelha
Características
- Alta sensibilidade UV (tipo de janela de quartzo): QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Repressão da sensibilidade IR
- Baixa corrente escura.
Potência equivalente de ruído (típica) | 2.5×10- 15.W/Hz1/2 |
Capacidade de junção (típica) | 160 pF |
Tempo de subida (típico) | 0.5 μs |
Corrente escura (máximo) | 5 pA |
Comprimento de onda de sensibilidade máxima (típico) | 720 nm |
Fotodiodos de silício S1227-33BR
É adequado para fotometria precisa na faixa de comprimentos de onda ultravioleta a visível; suprime a sensibilidade infravermelha
Características
- Concha de resina
Tipo - Supressão da sensibilidade ao infravermelho
- Baixa corrente escura.
Lado receptor de luz | 2.4 × 2,4 mm |
Voltagem inversa (máximo) | 5 V |
Intervalo de resposta espectral | 340 a 1000 nm |
Sensibilidade à luz (típica) | 0.43 A/W |
Corrente escura (máximo) | 5 pA |
Tempo de subida (típico) | 0.5 μs |
Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255