|
Detalhes do produto:
|
| Lado receptor de luz: | 5.8 × 5,8 mm | Encapsulamento: | Cerâmica |
|---|---|---|---|
| Refrigeração: | De peso superior a 20 g/m2 | Voltagem inversa (máximo): | 5 V |
| Intervalo de resposta espectral: | 190 a 1000 Nm | Sensibilidade à luz (típica): | 0.36 A/W |
| Destacar: | S1227-66BQ Fotodiodos de silício,Fotodiodos de silício com sensibilidade IR suprimida,S1227-66BR Fotodiodos de silício |
||
Fotodiodos de silício S1227-66BQ
Características
- Alta sensibilidade UV (tipo de janela de quartzo): QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Repressão da sensibilidade IR
- Baixa corrente escura.
| Potência equivalente de ruído (típica) | 5.0 × 10- 15.W/Hz1/2 |
| Capacidade de junção (típica) | 950 pF |
| Tempo de subida (típico) | 2 μs |
| Corrente escura (máximo) | 20 pA |
| Sensibilidade à luz (típica) | 0.36 A/W |
Fotodiodos de silício S1227-66BR
É adequado para fotometria precisa na faixa de comprimentos de onda ultravioleta a visível; suprime a sensibilidade infravermelha
Características
- Concha de resina
Tipo - Supressão da sensibilidade ao infravermelho
- Baixa corrente escura.
| Lado receptor de luz | 5.8 × 5,8 mm |
| Encapsulamento | Cerâmica |
| refrigeração | De peso superior a 20 g/m2 |
| Voltagem inversa (máximo) | 5 V |
| Intervalo de resposta espectral | 340 a 1000 nm |
| Comprimento de onda de sensibilidade máxima (típico) | 720 nm |
Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255
