A matriz de fotodiodos de silício YJJ S4111-35Q é usada na faixa ultravioleta a infravermelho próximo

Descrição do produto:

S4111-35Q A matriz de fotodiodos de silício é usada na faixa ultravioleta a infravermelho próximo

Características:

Uma matriz de fotodiodos de silício de 35 pixels adequada para a faixa ultravioleta a infravermelho próximo

S4111-35Q é uma matriz linear de fotodiodos de silício instalada em um DIP cerâmico (pacote duplo em linha).com uma largura de onda não superior a 50 mm,Uma vez que todos os pixels podem adotar o viés inverso da leitura de armazenamento de carga, o S4111-35Q pode detectar baixa luz com alta sensibilidade. Minimizar a intermitência entre pixels para manter a pureza do sinal.Pode ser utilizado como uma janela de recepção de luz para conectar filtros especiais (produtos personalizados).

Características

- Superfície altamente exposta

Baixo nível de transmissão

Sensibilidade mais forte ao infravermelho próximo

Corrente escura baixa

Dimensão dos pixels (cada pixel): 0,9 × 4,4 mm

Contagem de pixels: 35

Cerâmica de encapsulamento

Categoria de embalagem: DIP de 40 pinos

Não há tipo de scintillador

Tipo refrigerado não arrefecido

Voltagem inversa (valor máximo) 15 V

O intervalo de comprimentos de onda de sensibilidade é de 190 a 1100 nm

O comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico) é de 960 nm

Sensibilidade fotossensível (valor típico): 0,58 A/W

Corrente escura (valor máximo) 10 pA

Tempo de elevação (valor típico) 1,2 μs

Capacidade de junção (valor típico) 550 pF

Valor típico da condição de medição Ta = 25°C, salvo especificação em contrário

Para cada pixel, sensibilidade fotossensível: λ = 960 nm, corrente escura: VR=10 mV, tempo de elevação: VR=0 V, capacidade de junção: VR=0 V

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