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S1337-1010BR Fotodiodo de Si para Fotometria de Precisão UV a IV Baixa Capacitância

Certificado
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificações
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S1337-1010BR Fotodiodo de Si para Fotometria de Precisão UV a IV Baixa Capacitância

S1337-1010BR Fotodiodo de Si para Fotometria de Precisão UV a IV Baixa Capacitância
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Imagem Grande :  S1337-1010BR Fotodiodo de Si para Fotometria de Precisão UV a IV Baixa Capacitância

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Japão
Marca: Hamamatsu
Número do modelo: S1337-1010BR
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Caixa padrão
Tempo de entrega: 3-5 trabalhos no dia
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 3000pcs/mês

S1337-1010BR Fotodiodo de Si para Fotometria de Precisão UV a IV Baixa Capacitância

descrição
Material da janela: Concha de resina Pacote: 15*16,5 mm
Fotossensíveis são tamanho: 10*10mm Área fotossensível eficaz: 100mm2
Destacar:

Fotodiodo de Si UV a IV

,

fotodiodo de baixa capacitância

,

fotodiodo para fotometria de precisão

S1337-1010BR Fotodiodo de Si para Fotometria de Precisão UV a IV Baixa Capacitância

 

Características:
Alta sensibilidade UV: QE75% (λ=200 nm)
Baixa capacitância


Aplicações
Equipamentos analíticos
Equipamentos de medição óptica

 

Especificação:
 

Reverso  5V
Temperatura de Operação  -20 a +60℃
Temperatura de Armazenamento  -20 a +80℃


 

S1337-1010BR Fotodiodo de Si para Fotometria de Precisão UV a IV Baixa Capacitância 0

 

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xu

Telefone: 86+13352990255

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