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G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser

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CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificações
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G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser

G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser
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Imagem Grande :  G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Japão
Número do modelo: G12180-003A
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Embalagem padrão
Tempo de entrega: 5-8 dias de trabalho
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Habilidade da fonte: 5000pcs

G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser

descrição
Tipo de pacote: Para - 18 Área fotossensível: φ0,3 mm
Faixa de resposta espectral: 00,9 a 1,7 μm Comprimento de onda de sensibilidade ao pico (tip.): 10,55 μm
Fotossensibilidade (típica): 1.1 a/w Corte - Frequência desligada (tip.): 600 MHz
Destacar:

Sensores fotoelétricos de infravermelho para monitorização a laser

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Sensor de fotodiodo PIN InGaAs

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Sensor fotoelétrico do sistema de monitorização a laser

 

 

                   G12180-003A Sensor Fotoelétrico Infravermelho (Fotodiodo PIN InGaAs) para Sistemas de Monitoramento de Laser

 

1. Áreas de Aplicação:

  • Sistemas de Monitoramento de Laser: Permite a detecção e monitoramento em tempo real da intensidade de saída do laser em processamento a laser industrial, equipamentos médicos a laser e configurações de laser de grau de pesquisa, garantindo um desempenho estável do laser.
  • Medidores de Potência Óptica: Serve como um componente de detecção central em dispositivos de medição de potência óptica, capturando com precisão sinais de potência óptica no infravermelho próximo (NIR) para aplicações como teste de fibra óptica e fotometria de laboratório.
  • Teste de Ciclo de Vida de Diodos Laser: Suporta operação de longo prazo e mantém uma resposta consistente, tornando-o adequado para avaliar a durabilidade e a degradação de desempenho de diodos laser ao longo de sua vida útil.
  • Fotometria no Infravermelho Próximo (NIR): Facilita a medição precisa da absorção, transmissão ou reflexão de luz NIR em campos como análise bioquímica, ciência de materiais e monitoramento ambiental.
  • Sistemas de Comunicação Óptica: Detecta sinais ópticos NIR de alta velocidade (por exemplo, nas bandas de comprimento de onda de 1,3 µm ou 1,55 µm) para uso em transceptores de comunicação de fibra óptica, garantindo transmissão de dados confiável em redes de telecomunicações.

2. Principais Características:

  • Ampla Resposta Espectral NIR: Opera em uma faixa de comprimento de onda de 0,9–1,7 µm, cobrindo bandas críticas para comunicações ópticas, aplicações a laser e fotometria NIR.
  • Alta Sensibilidade: Oferece uma fotossensibilidade típica de 1,1 A/W (no comprimento de onda de pico ~1,55 µm), permitindo a detecção precisa de sinais ópticos NIR de baixa intensidade.
  • Baixa Corrente de Escuridão: Apresenta uma corrente de escuridão máxima de 0,5 nA (sob tensão reversa VR = 5V), minimizando o ruído de fundo e melhorando a relação sinal-ruído (SNR) para medições precisas.
  • Desempenho de Alta Velocidade: Possui uma frequência de corte típica de 600 MHz, suportando detecção de sinal de alta velocidade para aplicações como comunicação óptica rápida ou monitoramento de pulsos de laser.
  • Pacote Compacto e Robusto: Alojado em um pacote TO-18 (um pacote metálico padrão e compacto), garantindo estabilidade mecânica, fácil integração em projetos de circuito e compatibilidade com configurações de montagem óptica padrão.
  • Ampla Faixa de Temperatura de Operação: Funciona de forma confiável em temperaturas de -40°C a 100°C, tornando-o adequado para ambientes industriais hostis ou aplicações externas.
  • Baixa Capacitância de Junção: Possui uma capacitância de junção típica de 5 pF (VR = 5V), reduzindo a distorção do sinal e aprimorando o desempenho de alta frequência.
Tipo de Sensor Fotodiodo PIN InGaAs -
Tipo de Pacote TO-18 -
Modo de Operação Fotocondutivo -
Diâmetro da Área Fotossensível φ0,3 mm -
Número de Elementos 1 -
Método de Resfriamento Não resfriado -
Faixa de Resposta Espectral 0,9 – 1,7 µm -
Comprimento de Onda de Pico de Sensibilidade ~1,55 µm -
Fotossensibilidade Típ. 1,1 A/W
Corrente de Escuridão Máx. 0,5 nA
Frequência de Corte (-3dB) Típ. 600 MHz
Capacitância de Junção Típ. 5 pF
Potência de Ruído Equivalente (NEP) Típ. 4,2×10⁻¹⁵ W/Hz¹/²
Detectividade (D*) Típ. 6,3×10¹² cm·Hz¹/²/W
Resistência de Shunt 200 – 1000 MΩ
20 V
Material da Janela Vidro Borossilicato -
Faixa de Temperatura de Operação -40°C – 100°C -
Faixa de Temperatura de Armazenamento -55°C – 125°C -
Coeficiente de Temperatura da Sensibilidade 1,09 vezes/°C  

 

G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser

 

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Miss. Xu

Telefone: 86+13352990255

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