Detalhes do produto:
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Tipo de pacote: | Para - 18 | Área fotossensível: | φ0,3 mm |
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Faixa de resposta espectral: | 00,9 a 1,7 μm | Comprimento de onda de sensibilidade ao pico (tip.): | 10,55 μm |
Fotossensibilidade (típica): | 1.1 a/w | Corte - Frequência desligada (tip.): | 600 MHz |
Destacar: | Sensores fotoelétricos de infravermelho para monitorização a laser,Sensor de fotodiodo PIN InGaAs,Sensor fotoelétrico do sistema de monitorização a laser |
G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser
1Áreas de aplicação:
2Características principais:
Tipo de sensor | Fotodiodo InGaAs PIN | - |
Tipo de embalagem | TO-18 | - |
Modo de operação | Filtro de alumínio | - |
Diâmetro da área fotossensível | φ0,3 mm | - |
Número de elementos | 1 | - |
Método de arrefecimento | De peso superior a 20 g/m2 | - |
Faixa de resposta espectral | 0.9 | - |
Comprimento de onda de sensibilidade máxima | ~ 1,55 μm | - |
Fotossensibilidade | Tipo 1.1 A/W | λ = 1,55 μm, Va = 5V |
Corrente escura | Max. 0,5 nA | Vr = 5V, Ta = 25°C, sem luz |
Frequência de corte (-3 dB) | Tipo 600 MHz | Vr = 5V, Rl = 50Ω, λ = 1,3 μm |
Capacidade de junção | Tipo 5 pF | Vr = 5V, f = 1 MHz |
Potência equivalente ao ruído (NEP) | Tipo 4.2×10−15 W/Hz1/2 | λ = 1,55 μm, Vr = 5V, Ta = 25°C |
Detectividade (D*) | Tipo 6.3×1012 cm·Hz1/2/W | λ = 1,55 μm, Vr = 5V, Ta = 25°C |
Resistência ao shunt | 200 1000 MΩ | Vr = 0V, Ta = 25°C, sem luz |
Voltagem máxima inversa (Vrmax) | 20 V | Ta = 25°C |
Material das janelas | Vidro de borosilicato | - |
Intervalo de temperatura de funcionamento | -40°C 100°C | - |
Intervalo de temperatura de armazenamento | -55°C 125°C | - |
Coeficiente de sensibilidade à temperatura | 10,09 vezes/°C |
Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255