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G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser

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CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificações
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G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser

G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser
G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser

Imagem Grande :  G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Japão
Número do modelo: G12180-003A
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Embalagem padrão
Tempo de entrega: 5-8 dias de trabalho
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 5000pcs

G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser

descrição
Tipo de pacote: Para - 18 Área fotossensível: φ0,3 mm
Faixa de resposta espectral: 00,9 a 1,7 μm Comprimento de onda de sensibilidade ao pico (tip.): 10,55 μm
Fotossensibilidade (típica): 1.1 a/w Corte - Frequência desligada (tip.): 600 MHz
Destacar:

Sensores fotoelétricos de infravermelho para monitorização a laser

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Sensor de fotodiodo PIN InGaAs

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Sensor fotoelétrico do sistema de monitorização a laser

 

 

G12180-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de monitorização a laser

 

1Áreas de aplicação:

  • Sistemas de monitorização a laser: permitem a detecção e monitorização em tempo real da intensidade de saída do laser no processamento de laser industrial, equipamentos de laser médicos e configurações de laser de nível de pesquisa,garantir um desempenho estável do laser.
  • Medidores de potência óptica: Serve como componente de detecção central em dispositivos de medição de potência óptica,Captura precisa de sinais de potência óptica do infravermelho próximo (NIR) para aplicações como testes de fibra óptica e fotometria de laboratório.
  • Teste do ciclo de vida do diodo laser: Resiste a operações de longa duração e mantém uma resposta constante,que o torna adequado para avaliar a durabilidade e a degradação do desempenho dos diodos a laser durante a sua vida útil.
  • Fotometria de infravermelho próximo (NIR): facilita a medição precisa da absorção, transmissão ou reflexão da luz NIR em campos como análise bioquímica, ciência dos materiais,e monitorização ambiental.
  • Sistemas de comunicação óptica: Detecta sinais ópticos NIR de alta velocidade (por exemplo, em faixas de comprimento de onda de 1,3 μm ou 1,55 μm) para utilização em transceptores de comunicação de fibra óptica,assegurar uma transmissão de dados fiável nas redes de telecomunicações.

2Características principais:

  • Resposta Espectral NIR Ampla: Opera em uma faixa de comprimento de onda de 0,9 ∼1,7 μm, cobrindo bandas críticas para comunicações ópticas, aplicações a laser e fotometria NIR.
  • Alta sensibilidade: fornece uma fotossensibilidade típica de 1,1 A / W (no comprimento de onda máximo ~ 1,55 μm), permitindo a detecção precisa de sinais ópticos NIR de baixa intensidade.
  • Corrente escura baixa: apresenta uma corrente escura máxima de 0,5 nA (sob tensão inversa VR = 5V), minimizando o ruído de fundo e melhorando a relação sinal-ruído (SNR) para medições precisas.
  • Desempenho de alta velocidade: possui uma frequência de corte típica de 600 MHz, suportando detecção de sinal de alta velocidade para aplicações como comunicação óptica rápida ou monitoramento de pulsos a laser.
  • Pacote compacto e robusto: instalado num pacote TO-18 (um pacote metálico padrão e compacto), garantindo estabilidade mecânica, fácil integração nos projetos de circuitos,e compatibilidade com as configurações de montagem óptica padrão.
  • Ampla faixa de temperatura de funcionamento: Funciona de forma confiável em temperaturas de -40°C a 100°C, tornando-o adequado para ambientes industriais adversos ou aplicações ao ar livre.
  • Capacidade de junção baixa: Tem uma capacidade de junção típica de 5 pF (VR = 5V), reduzindo a distorção do sinal e melhorando o desempenho de alta frequência.
Tipo de sensor Fotodiodo InGaAs PIN -
Tipo de embalagem TO-18 -
Modo de operação Filtro de alumínio -
Diâmetro da área fotossensível φ0,3 mm -
Número de elementos 1 -
Método de arrefecimento De peso superior a 20 g/m2 -
Faixa de resposta espectral 0.9 -
Comprimento de onda de sensibilidade máxima ~ 1,55 μm -
Fotossensibilidade Tipo 1.1 A/W λ = 1,55 μm, Va = 5V
Corrente escura Max. 0,5 nA Vr = 5V, Ta = 25°C, sem luz
Frequência de corte (-3 dB) Tipo 600 MHz Vr = 5V, Rl = 50Ω, λ = 1,3 μm
Capacidade de junção Tipo 5 pF Vr = 5V, f = 1 MHz
Potência equivalente ao ruído (NEP) Tipo 4.2×10−15 W/Hz1/2 λ = 1,55 μm, Vr = 5V, Ta = 25°C
Detectividade (D*) Tipo 6.3×1012 cm·Hz1/2/W λ = 1,55 μm, Vr = 5V, Ta = 25°C
Resistência ao shunt 200 1000 MΩ Vr = 0V, Ta = 25°C, sem luz
Voltagem máxima inversa (Vrmax) 20 V Ta = 25°C
Material das janelas Vidro de borosilicato -
Intervalo de temperatura de funcionamento -40°C 100°C -
Intervalo de temperatura de armazenamento -55°C 125°C -
Coeficiente de sensibilidade à temperatura 10,09 vezes/°C  

 

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Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Miss. Xu

Telefone: 86+13352990255

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