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Detalhes do produto:
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| Tipo de pacote: | Para - 18 | Área fotossensível: | φ0,3 mm |
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| Faixa de resposta espectral: | 00,9 a 1,7 μm | Comprimento de onda de sensibilidade ao pico (tip.): | 10,55 μm |
| Fotossensibilidade (típica): | 1.1 a/w | Corte - Frequência desligada (tip.): | 600 MHz |
| Destacar: | Sensores fotoelétricos de infravermelho para monitorização a laser,Sensor de fotodiodo PIN InGaAs,Sensor fotoelétrico do sistema de monitorização a laser |
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G12180-003A Sensor Fotoelétrico Infravermelho (Fotodiodo PIN InGaAs) para Sistemas de Monitoramento de Laser
1. Áreas de Aplicação:
2. Principais Características:
| Tipo de Sensor | Fotodiodo PIN InGaAs | - |
| Tipo de Pacote | TO-18 | - |
| Modo de Operação | Fotocondutivo | - |
| Diâmetro da Área Fotossensível | φ0,3 mm | - |
| Número de Elementos | 1 | - |
| Método de Resfriamento | Não resfriado | - |
| Faixa de Resposta Espectral | 0,9 – 1,7 µm | - |
| Comprimento de Onda de Pico de Sensibilidade | ~1,55 µm | - |
| Fotossensibilidade | Típ. 1,1 A/W | |
| Corrente de Escuridão | Máx. 0,5 nA | |
| Frequência de Corte (-3dB) | Típ. 600 MHz | |
| Capacitância de Junção | Típ. 5 pF | |
| Potência de Ruído Equivalente (NEP) | Típ. 4,2×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² | |
| Detectividade (D*) | Típ. 6,3×10¹² cm·Hz¹/²/W | |
| Resistência de Shunt | 200 – 1000 MΩ | |
| 20 V | ||
| Material da Janela | Vidro Borossilicato | - |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40°C – 100°C | - |
| Faixa de Temperatura de Armazenamento | -55°C – 125°C | - |
| Coeficiente de Temperatura da Sensibilidade | 1,09 vezes/°C |
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Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255