logo
Casa ProdutosSensor fotoelétrico infravermelho

G12181-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicação óptica

Certificado
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificações
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Certificações
Estou Chat Online Agora

G12181-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicação óptica

G12181-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicação óptica
G12181-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicação óptica

Imagem Grande :  G12181-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicação óptica

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Japão
Número do modelo: G12181-003A
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Embalagem padrão
Tempo de entrega: 5-8 dias de trabalho
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 5000pcs

G12181-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicação óptica

descrição
Coeficiente de temperatura de sensibilidade: 1,08 vezes/℃ Faixa de temperatura de armazenamento: -55 ℃ -125 ℃
Faixa de temperatura operacional: -40 ℃ -100 ℃ Tensão reversa máxima (vᵣₘₐₓ): 20 V
Resistência de derivação: 300 ~ 1200 MΩ Capacidade de junção: TIPO. 4 pf
Destacar:

Sensores fotoeléctricos de infravermelho para comunicação óptica

,

Sensor de fotodiodo PIN InGaAs

,

Sensor fotoelétrico com tecnologia InGaAs

 

             G12181-003A Sensor Fotoelétrico Infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para Sistemas de Comunicação Óptica   

 

Áreas de Aplicação:

  • Sistemas de Comunicação Óptica: Detecta sinais NIR de alta velocidade (bandas de 1,3/1,55 μm) em transceptores de fibra óptica, suportando a transmissão confiável de dados em redes de telecomunicações.
  • Medidores de Potência Óptica de Precisão: Serve como um componente central de detecção para medir a potência óptica NIR em testes de laboratório, manutenção de fibra óptica e calibração a laser.
  • Monitoramento e Teste a Laser: Permite o monitoramento em tempo real da intensidade de saída do laser (por exemplo, em lasers industriais, lasers médicos) e testes de ciclo de vida de diodos laser.
  • Fotometria no Infravermelho Próximo: Usado em análise bioquímica, ciência dos materiais e monitoramento ambiental para medir a absorção, transmissão ou reflexão da luz NIR.
  • Aeroespacial e Defesa: Adequado para detecção de alvos baseada em NIR, sensoriamento remoto e sistemas de orientação óptica (graças à ampla faixa de temperatura e baixo ruído).

Principais Características:

  • Cobertura NIR Ampla: A faixa espectral de 0,9–1,7 μm se alinha com os comprimentos de onda chave para aplicações de comunicação, laser e fotometria.
  • Corrente Escura Ultra-Baixa: Corrente escura máx. de 0,3 nA minimiza o ruído de fundo, garantindo uma alta relação sinal-ruído (SNR) para detecção de baixa luz.
  • Resposta de Alta Velocidade: A frequência de corte de 800 MHz suporta a detecção rápida de sinais, ideal para comunicação óptica de alta largura de banda ou monitoramento de laser pulsado.
  • Pacote Compacto e Durável: O pacote de metal TO-18 oferece estabilidade mecânica, fácil integração em circuitos e compatibilidade com montagens ópticas padrão.
  • Sensibilidade Consistente: O baixo coeficiente de temperatura de sensibilidade garante desempenho confiável em diferentes temperaturas ambiente.

Parâmetro

Especificação (Típ. / Máx.)

Condições de Teste

Área Fotosensível φ0,3 mm -
Número de Elementos de Detecção 1 (Elemento Único) -
Método de Resfriamento Não resfriado (Resfriamento Ambiente Passivo) -
Faixa de Resposta Espectral 0,9 – 1,7 μm Cobre bandas NIR críticas (por exemplo, 1,3/1,55 μm para telecomunicações)
Comprimento de Onda de Sensibilidade de Pico ~1,55 μm -
Fotosensibilidade Típ. 1,1 A/W λ = 1,55 μm, Tensão Reversa (Vᵣ) = 5V, Tₐ = 25℃
Corrente Escura Máx. 0,3 nA Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃, Sem Luz Incidente
Frequência de Corte (-3dB) Típ. 800 MHz Vᵣ = 5V, Resistência de Carga (Rₗ) = 50Ω, λ = 1,3 μm
Capacitância da Junção Típ. 4 pF Vᵣ = 5V, Frequência (f) = 1 MHz
Potência Equivalente de Ruído (NEP) Típ. 3,5×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃
Detectividade (D*) Típ. 7,2×10¹² cm·Hz¹/²/W λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃
Resistência de Derivação 300 – 1200 MΩ Vᵣ = 0V, Tₐ = 25℃, Sem Luz
Tensão Reversa Máxima (Vᵣₘₐₓ) 20 V Tₐ = 25℃
Faixa de Temperatura de Operação -40℃ – 100℃ Desempenho estável em ambientes industriais agressivos
Faixa de Temperatura de Armazenamento -55℃ – 125℃ -
Coeficiente de Temperatura de Sensibilidade 1,08 vezes/℃ Relativo a 25℃, λ = 1,55 μm

 

G12181-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicação óptica 0

 

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Miss. Xu

Telefone: 86+13352990255

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)