Detalhes do produto:
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Coeficiente de temperatura de sensibilidade: | 1,08 vezes/℃ | Faixa de temperatura de armazenamento: | -55 ℃ -125 ℃ |
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Faixa de temperatura operacional: | -40 ℃ -100 ℃ | Tensão reversa máxima (vᵣₘₐₓ): | 20 V |
Resistência de derivação: | 300 ~ 1200 MΩ | Capacidade de junção: | TIPO. 4 pf |
Destacar: | Sensores fotoeléctricos de infravermelho para comunicação óptica,Sensor de fotodiodo PIN InGaAs,Sensor fotoelétrico com tecnologia InGaAs |
G12181-003A Sensor Fotoelétrico Infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para Sistemas de Comunicação Óptica
Áreas de Aplicação:
Principais Características:
Parâmetro |
Especificação (Típ. / Máx.) |
Condições de Teste |
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Área Fotosensível | φ0,3 mm | - |
Número de Elementos de Detecção | 1 (Elemento Único) | - |
Método de Resfriamento | Não resfriado (Resfriamento Ambiente Passivo) | - |
Faixa de Resposta Espectral | 0,9 – 1,7 μm | Cobre bandas NIR críticas (por exemplo, 1,3/1,55 μm para telecomunicações) |
Comprimento de Onda de Sensibilidade de Pico | ~1,55 μm | - |
Fotosensibilidade | Típ. 1,1 A/W | λ = 1,55 μm, Tensão Reversa (Vᵣ) = 5V, Tₐ = 25℃ |
Corrente Escura | Máx. 0,3 nA | Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃, Sem Luz Incidente |
Frequência de Corte (-3dB) | Típ. 800 MHz | Vᵣ = 5V, Resistência de Carga (Rₗ) = 50Ω, λ = 1,3 μm |
Capacitância da Junção | Típ. 4 pF | Vᵣ = 5V, Frequência (f) = 1 MHz |
Potência Equivalente de Ruído (NEP) | Típ. 3,5×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² | λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
Detectividade (D*) | Típ. 7,2×10¹² cm·Hz¹/²/W | λ = 1,55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
Resistência de Derivação | 300 – 1200 MΩ | Vᵣ = 0V, Tₐ = 25℃, Sem Luz |
Tensão Reversa Máxima (Vᵣₘₐₓ) | 20 V | Tₐ = 25℃ |
Faixa de Temperatura de Operação | -40℃ – 100℃ | Desempenho estável em ambientes industriais agressivos |
Faixa de Temperatura de Armazenamento | -55℃ – 125℃ | - |
Coeficiente de Temperatura de Sensibilidade | 1,08 vezes/℃ | Relativo a 25℃, λ = 1,55 μm |
Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255