S12060-10 Próximo - fotodiodo de avalancha de silício infravermelho próximo para incluir principalmente telêmetros ópticos

                          S12060-10 Fotodiodo de Avalancha de Silício no Infravermelho Próximo Para Principalmente Incluindo Telêmetros Ópticos

Principais Características:

Possui um baixo coeficiente de temperatura de tensão de ruptura de 0,4 V/℃, o que garante uma operação estável em uma ampla faixa de temperatura e não é facilmente afetado por mudanças na temperatura ambiente.

1. Apresenta desempenho de resposta de alta velocidade com uma frequência de corte típica de 600 MHz, permitindo a captura e conversão rápidas de sinais ópticos.
2. Combina alta sensibilidade (valor típico de 0,5 A/W) e baixo ruído (corrente escura máxima de 2 nA), o que pode detectar com precisão sinais ópticos no infravermelho próximo fracos.
3. O pacote metálico TO-18 possui boa estabilidade estrutural e é conveniente para instalação e integração em vários dispositivos eletrônicos.

Aplicações Típicas:

Este sensor é amplamente utilizado em cenários que exigem detecção óptica no infravermelho próximo de alta precisão, incluindo principalmente telêmetros ópticos, sistemas de óptica de espaço livre (FSO), equipamentos de diagnóstico médico, dispositivos de comunicação óptica e outros campos que exigem detecção estável de sinais ópticos em condições de temperatura variável.