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G12183-003K Fotodiodo PIN de alto desempenho de arsenieto de ídio e gálio (InGaAs) para medidores de potência óptica e detecção de potência a laser

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G12183-003K Fotodiodo PIN de alto desempenho de arsenieto de ídio e gálio (InGaAs) para medidores de potência óptica e detecção de potência a laser

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Imagem Grande :  G12183-003K Fotodiodo PIN de alto desempenho de arsenieto de ídio e gálio (InGaAs) para medidores de potência óptica e detecção de potência a laser

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Japão
Número do modelo: G12183-003K
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Caixa de papel
Tempo de entrega: 3-5 dias de trabalho
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 5000 unidades
Contato

G12183-003K Fotodiodo PIN de alto desempenho de arsenieto de ídio e gálio (InGaAs) para medidores de potência óptica e detecção de potência a laser

descrição
Tipo de pacote: TO-18 Tipo de montagem: Orifício passante (3 pinos)
Contagem de alfinetes: 3 pinos Dimensão da janela: 3,0±0,1mm
Diâmetro da ligação: 0,45mm Distância: -0,2 ≤x≤+0,2mm
Destacar:

Diodo fotográfico InGaAs PIN para medidores de potência ópticos

,

Detecção a laser de fotodiodos InGaAs de alto desempenho

,

Sensor fotoelétrico de infravermelho com tecnologia InGaAs

 

G12183-003K Fotodiodo PIN de alto desempenho de arsenieto de ídio e gálio (InGaAs) para medidores de potência óptica e detecção de potência a laser

 

 

Características:


Fotodiodo InGaAs PIN para detecção de infravermelho próximo longo
Resposta espectral alargada: 0,9 μm a 2,6 μm
Alta sensibilidade a um comprimento de onda máximo de 2,3 μm
Alta capacidade de resposta: 1,0 a 1,3 A/W
Área activa pequena: φ0,3 mm
Baixa corrente escura para melhorar a relação sinal/ruído
Pacote de metal TO-18 compacto
Boa velocidade de resposta e baixo ruído
Temperatura de funcionamento: -40°C a +85°C
Compatível com a RoHS
De potência não superior a 1000 W

 

 

 

Aplicações:


Outros aparelhos de som
Analisadores de gás
Medidores de humidade
Fotometria e espectroscopia NIR (próximo infravermelho)
Monitorização dos processos industriais
Análise ambiental
Ensaios de comunicação óptica

 

 

Parâmetro

Min.

Tipo

Max.

Unidade

Condição de ensaio
Faixa de resposta espectral 0.9 - 2.6 μm Ta=25°C
Comprimento de onda de sensibilidade máxima - 2.3 - μm Ta=25°C
Fotossensibilidade (Responsividade) 1.0 1.3 - A/W A λ=2,3 μm, Ta=25°C
Corrente escura - 0.4 4 μA Vr=0,5 V, Ta=25°C
Temperatura da corrente escura - 1.035 - vezes/°C Vr=0,5 V
Cortar Frequência - 50 - MHz Ta=25°C
Capacidade do terminal - 50 100 pF Vr=0 V, f=10 kHz
Voltagem inversa (máximo) - - 1 V Ta=25°C
Resistência ao shunt 20 - 100 kΩ Ta=25°C
Intervalo de temperatura de funcionamento - 40 - + 85 °C Especificação completa
Intervalo de temperatura de armazenamento - 55 - +125 °C -
Área fotossensível - φ0.3 - mm -
Número de elementos - 1 - - -
Temperatura de solda - - 260 °C Duração ≤ 10 s
Material das janelas - Vidro de borosilicato - - -

 

G12183-003K Fotodiodo PIN de alto desempenho de arsenieto de ídio e gálio (InGaAs) para medidores de potência óptica e detecção de potência a laser 0

etiqueta:

Sensor R9533 fotoelétrico infravermelho,

Sensor da cor do RGB,

Sensor da chama de UVTRON

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Miss. Xu

Telefone: 86+13352990255

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)

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