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S12023-02-01 Fotodiodo de Avalanche de Silício Operação de Baixa Polarização Infravermelha

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S12023-02-01 Fotodiodo de Avalanche de Silício Operação de Baixa Polarização Infravermelha

S12023-02-01 Fotodiodo de Avalanche de Silício Operação de Baixa Polarização Infravermelha
S12023-02-01 Fotodiodo de Avalanche de Silício Operação de Baixa Polarização Infravermelha S12023-02-01 Fotodiodo de Avalanche de Silício Operação de Baixa Polarização Infravermelha S12023-02-01 Fotodiodo de Avalanche de Silício Operação de Baixa Polarização Infravermelha S12023-02-01 Fotodiodo de Avalanche de Silício Operação de Baixa Polarização Infravermelha S12023-02-01 Fotodiodo de Avalanche de Silício Operação de Baixa Polarização Infravermelha S12023-02-01 Fotodiodo de Avalanche de Silício Operação de Baixa Polarização Infravermelha

Imagem Grande :  S12023-02-01 Fotodiodo de Avalanche de Silício Operação de Baixa Polarização Infravermelha

Detalhes do produto:
Lugar de origem: JAPÃO
Marca: Hamamatsu
Número do modelo: S12023-02-01
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Pacote Padrão
Tempo de entrega: 3-5 trabalhos no dia
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T
Habilidade da fonte: 10.000 unidades/mês
Contato

S12023-02-01 Fotodiodo de Avalanche de Silício Operação de Baixa Polarização Infravermelha

descrição
Tipo: Infravermelho próximo (operação de baixa polarização) Tamanho da área ativa: φ0,2 mm
Material da embalagem: Metal Tipo de pacote: TO-18
Destacar:

Sensor infravermelho de fotodiodo de avalanche de silício

,

Fotodiodo infravermelho de operação de baixa polarização

,

Sensor fotoelétrico infravermelho com garantia

S12023-02-01 Operação de baixo preconceito com fotodiodo de avalanche de silício em infravermelho

 

Este fotodiodo de avalanche de silício (Si APD) é projetado para a faixa infravermelha próxima (banda de 800 nm) e opera a baixas tensões de 200 V ou menos.É adequado para aplicações como telemetros ópticos e comunicação óptica em espaço livre.


Características:
■ Função estável a baixa tensão de desvio
·Velocidade de resposta rápida
・Alta sensibilidade e baixo ruído

 

Especificações:

Comprimento de onda da sensibilidade máxima (típica)
800 nm
Faixa de sensibilidade de comprimento de onda 400 ‰ 1000 nm
Fotossensibilidade (típica) 0.5 A/W
Corrente escura máxima 0.5 nA
Frequência de corte (típica) 1000 MHz
Capacidade terminal típica 1 pF
Tensão de ruptura (típica) 150 V
Coeficiente de temperatura da tensão de ruptura (típica) 00,65 V/°C
Fator de multiplicação (típico) 100

 

S12023-02-01 Fotodiodo de Avalanche de Silício Operação de Baixa Polarização Infravermelha

etiqueta:

Sensor R9533 fotoelétrico infravermelho,

Sensor da cor do RGB,

Sensor da chama de UVTRON

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xu

Telefone: 86+13352990255

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