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Detalhes do produto:
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| Faixa de tensão de ruptura: | 80 V ~ 120 V (ID=100 μA) | Área fotossensível eficaz: | 0,2 mm |
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| Faixa de resposta espectral: | 400 nm ~ 1000 nm | Comprimento de onda de sensibilidade máxima: | 800 Nm |
| Destacar: | Fotodiodo de avalanche de silício para Lidar,Telemetria óptica de fotodiodo de alto desempenho,Sensor fotoelétrico infravermelho para monitoramento a laser |
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S12023-02-01 Fotodiodo de avalanche de silício de alto desempenho para sistemas ópticos e sistemas Lidar, monitoramento e detecção a laser
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Modelo de produto
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S12023-02-01
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Princípio de detecção
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Eletroquímico de três eletrodos
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Faixa de temperatura de trabalho
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-20℃ ~ +50℃
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Faixa de umidade de trabalho
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10%~95% RH (sem condensação)
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Faixa de temperatura de armazenamento
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-30℃ ~ +60℃
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Repetibilidade
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≤ ±2% FS
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Deriva Zero
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Desvio de linha de base ultrabaixo para operação de longo prazo
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Tempo de Resposta (T90)
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≤ 120s
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Resistência à sobrecarga
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Suporta sobrecarga instantânea de gás de alta concentração
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Pessoa de Contato: Miss. Xu
Telefone: 86+13352990255