CHINA Sensor UV do fotodiodo

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  Do sensor UV do fotodiodo de GS-ABC-2835M Solar sensor de monitoração ultravioleta

  Chip Size:0,22 mm2

  Pacote:SMD 2835

  Características:Compreensibilidade alta, baixa cegueira clara visível atual, boa escura

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  sensor UV 0.22mm2 GT-ABC-M do índice de 355 nanômetro para a monitoração UV da lâmpada da desinfecção

  Descrição do produto:O tamanho da microplaqueta é 0.22mm2

  capsulagem:TO46

  Material:Janela da safira

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  GT-UVB-M Sensor de detecção de fotodiodos UV GaN Crawler

  tamanho da microplaqueta:0.77 mm2

  Encapsulamento:TO46

  Características:Janela de safira, alta sensibilidade, baixa corrente escura

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  Do sensor UV da lâmpada de GUVA-S12SD sensor UV da monitoração do índice de Schottky

  Temperatura de armazenamento:-40-90°

  Temperatura de trabalho:-30-85°

  Tensão reversa:Parte superior - 30 ℃ Vr, máximo. Se, ㎂ máximo de V Ir = 1

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  GT-UV400-L Sensor de fotodiodo UV da janela de safira para monitoramento fotocatalítico UV

  tamanho da microplaqueta:1 mm2

  Encapsulamento:TO46

  Características:Janela de safira, alta sensibilidade, baixa corrente escura

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  Base do nitreto do gálio do sensor de G365T01L UVA UVB que opera-se no modo fotovoltaico

  Material:matéria-prima do nitreto do gálio

  Objeto de teste:fotodiodo de faixa larga de UVA+UVB+UVC

  Princípio:Funcionamento no modo fotovoltaico

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  UVA GaN-baseou a operação fotovoltaico UV do modo do sensor GS-AB-S do fotodiodo

  Material:matéria-prima do nitreto do gálio

  Faixa larga:Fotodiodo de UVA+UVB+UVC

  Princípio:Funcionamento no modo fotovoltaico

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  Monitorização do índice UV por fotodiodo UV com base em GaN GT-ABC-L

  Materiais:Materiais de base de nitreto de gálio

  Condições de teste:fotodiodo UVA+UVB+UVC de banda larga

  Princípio:Funcionamento em modo fotovoltaico

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  S1226-5BQ SI Pin Photodiode Para UV a Visível Fotometria de Precisão Suprimem a Sensibilidade Próxima a IR

  Pacote:TO-5

  Tamanho da área fotossensível:2.4*2,4 mm

  Voltagem inversa:5V

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  S1227-66BR Si Fotodiodo Alta Sensibilidade UV Sensibilidade IR Voltahe Reverso VR Max 5V

  Pacote:8,9*10,1 mm

  Tamanho da área ativa:5,8*5,8 mm

  Tensão reversa VR Max.:5V

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  S1337-33BR 10-20mA Si Photodiode Analog Interface para medições precisas

  Tempo de resposta:1-2MS

  Sensibilidade:Alto

  Temperatura de armazenamento:-40 a +125°C

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  S12060-10 Fotodiodo de avalanche de silício Coeficiente de baixa temperatura

  Tipo:Tipo infravermelho próximo

  Área fotossensível:φ1 mm

  Pacote:Metal

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