CHINA Sensor fotoelétrico infravermelho

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  YJJ S16838-01MS O fotodiodo de silício é usado na luz visível até a faixa infravermelha próxima

  Capacidade de junção:700 pF

  Tempo de elevação:2,5 μs

  Corrente escura:pA 10

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  YJJ S16765-01MS O fotodiodo de silício é usado na luz visível até a faixa infravermelha próxima

  Sensibilidade fotossensível:0.3 A/W

  Corrente escura:pA 10

  Tempo de elevação:2,5 μs

  contacto
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  YJJ S16767-01MS O fotodiodo de silício é usado na luz visível até a faixa infravermelha próxima

  Sensibilidade fotossensível:0.3 A/W

  Corrente escura:pA 10

  Tempo de elevação:2,5 μs

  contacto
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  A matriz de fotodiodos de silício YJJ S4111-35Q é usada na faixa ultravioleta a infravermelho próximo

  Tamanho do pixel:0.9 × 4,4 mm

  Contagem do pixel:35

  Embalagem:De aço inoxidável

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  S1133 S1133-14 S1133-01 Si Fotodiodo Embalagem cerâmica Fotodiodo com baixa corrente escura

  Tamanho da área ativa:2.4x2.8

  Área activa efectiva:6,6

  Voltagem inversa VR Max.:10

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  Fotodiodo S7686 Si de elevada sensibilidade com comprimento de onda de pico de sensibilidade a 550 nm e gama de resposta espectral de 480-660 nm

  Voltagem inversa:10 V

  Temperatura de funcionamento:-10 a +60 °C

  Temperatura de armazenamento:-20 a +70 °C

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  G12180-005A Fotodiodos PIN InGaAs com baixo ruído em embalagem TO-18

  Lado receptor de luz:φ0,5 mm

  Número de pixels:1

  Encapsulamento:Metal

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  G12180-010A Fotodiodos InGaAs PIN de baixa capacidade de junção com comprimento de onda de sensibilidade de 0,9 a 1,7 μm e encapsulamento metálico

  Lado receptor de luz:φ1,0 mm

  Número de pixels:1

  Encapsulamento:Metal

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  S6931-01 Fotodiodos de silício moldados em embalagens de plástico transparente

  Lado receptor de luz:2.4 × 2,8 mm

  Encapsulamento:plásticos

  refrigeração:De peso superior a 20 g/m2

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  S6775 S6775-01 Fotodiodo PIN de silício Resposta de alta velocidade

  Lado receptor de luz:5.5 × 4,8 mm

  Encapsulamento:plásticos

  Refrigeração:De peso superior a 20 g/m2

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  UVTRON R9533 Instalação fácil na maioria dos dispositivos com alta sensibilidade e amplo campo de visão usando material de elétrodo Ni

  Material do eléctrodo:NI

  Peso:2,5 g

  [Classificação máxima]:30 mA

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  Fotodiodos de silício S12742-254 Fotodiodo de silício com filtro de interferência

  Lado receptor de luz:3.6 × 3.6 mm

  Encapsulamento:Metal

  Categoria do pacote:TO-5 com filtro

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