CHINA Sensor fotoelétrico infravermelho

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  S12915-33R Sensor de fotodiodo de silício para fotômetro geral de baixa corrente escura

  receber o tamanho de superfície é:2,4 × 2.4mm

  Área fotossensível eficaz:5,7 mm2

  a tensão reversa máxima é:30 V

  contacto
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  Fotodiodos de pin de silício S1336-8BK S1336-8BQ Alta sensibilidade na banda ultravioleta

  Lado receptor de luz:5.8 × 5,8 mm

  Encapsulamento:Metal

  Categoria do pacote:TO-8

  contacto
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  YJJ G12180-005A InGaAs PIN Photodiode Receptor Surface: φ0,5mm

  Recebendo a superfície:φ0,5 mm

  Número de pixels:1

  Pacote:Metal

  contacto
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  Fotodiodos de pin de silício S1336-18BK S1336-18BQ Baixa capacidade

  Lado receptor de luz:1.1 × 1,1 mm

  Encapsulamento:Metal

  Categoria do pacote:TO-18

  contacto
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  Fotodiodos de pin de silício S1336-5BK S1336-5BQ Alta sensibilidade na banda ultravioleta

  Lado receptor de luz:× 2,4 2,4 milímetros

  Encapsulamento:Metal

  Categoria do pacote:TO-5

  contacto
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  Fotodiodo de pin de silício S1336-44BQ S1336-44BK Alta sensibilidade na banda ultravioleta

  Lado receptor de luz:3.6 × 3.6 mm

  Encapsulamento:Metal

  Categoria do pacote:TO-5

  contacto
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  YJJ S4349 Arquivo de fotodiodos de silicone PIN de quatro pixels é usado para alinhamento de feixe de laser

  Baixa transmissão: máxima:2%

  Ampla gama de resposta espectral:190 a 1000 Nm

  Resposta de alta velocidade:fc = 20 MHz -pacote metálico TO-5

  contacto
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  YJJ S6775-01 Sílice PIN Fotodiodo Plástico SIP Embalagem em linha única 5.5 × 4.8 mm Superfície receptora

  Plastic package:7 × 7.8mm

  Receiving surface size:5.5 × 4.8mm

  Refrigeration:Uncooled type

  contacto
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  YJJ S12053-02 APD de silício Avalanche Photodiode Tipo de onda curta APD

  Faixa de comprimentos de onda de sensibilidade:200 a 1000 nm

  Fotossensibilidade (valor típico):0.42 A/W

  Corrente escura (máximo):nA 5

  contacto
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  YJJ S12060-02 Silicon APD Coeficiente de baixa temperatura para banda de 800 nm em encapsulamento metálico e embalagem TO18

  Recebendo a superfície:φ0,2 mm

  Encapsulamento:Metal

  Categoria do pacote:TO18

  contacto
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  YJJ S1337-21 Fotodiodo de silício A solução ideal para fotometria de precisão em bandas UV a IR

  Receiving surface:18 × 18 mm

  Reverse voltage (Max.):5 V

  Sensitivity (typical value):0.52 A/W

  contacto
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  Determinação fotométrica de precisão do fotodiodo de silício de baixa capacidade nas faixas UV a NIR YJJ S1336-8BQ TO-5 Package

  Package category:TO-5

  Refrigeration:Uncooled type

  Reverse voltage (Max.):5V

  contacto