CHINA Sensor fotoelétrico infravermelho

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  G12181-003A Sensor fotoelétrico infravermelho (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicação óptica

  Coeficiente de temperatura de sensibilidade:1,08 vezes/℃

  Faixa de temperatura de armazenamento:-55 ℃ -125 ℃

  Faixa de temperatura operacional:-40 ℃ -100 ℃

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  YJJ S8745-01 S8746-01 Fotodiodos de silício com pré-amplificador são usados para medição de baixa luz

  RF embutido:1 gω e cf = 5 pf

  Superfície emissora de luz:× 2,4 2,4 milímetros

  Pacote:Metal

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  YJJ G12181-003A Fotodiodo PIN InGaAs não resfriado pode ser usado para detectar tamanhos de várias áreas sensíveis à luz. Fotodiodo PIN InGaAs não resfriado pode ser usado para detectar tamanhos de várias áreas sensíveis à luz

  Contagem do pixel:1

  Pacote:Metal

  Categoria de pacote:TO18

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  YJJ S2386-5K Equipamento analítico Equipamento de medição óptica Fotodiodos japoneses

  Superfície emissora de luz:× 2,4 2,4 milímetros

  Pacote:Metal

  Tipo de pacote:TO-5

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  YJJ S6967 S6967-01 Fotodiodo PIN de Silício Pacote SIP de Plástico Para Detecção na Faixa de Luz Visível a Infravermelho Próximo

  Faixa de resposta espectral:320 a 1060 nm

  Comprimento de onda de sensibilidade máxima:900 nm

  Foto-sensibilidade:0,65 a/w

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  EMIRS200_AT01T_BR090 Fonte de infravermelho baseada em MEMS térmicos TO39 Package

  Tipo:Infravermelho

  Temperatura operacional:-40 ° C ~ 125 ° C.

  Tipo de montagem:Através do buraco

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  YJJ S10227-10 Sensor de imagem de matriz linear CMOS selado em resina pequena para aplicações industriais

  Pitch de pixel:12,5 μm

  Altura do pixel:250 μm

  Taxa de dados de sinal:Máximo 5 MHz

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  YJJ S3072 O fotodiodo PIN de silício é usado para detecção de luz de pulso de alta velocidade na transmissão óptica espacial

  Light-emitting surface:3.0 mm

  Package:Metal

  Package category:TO-5

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  S6428-01 Fotodiodos Si Sensor de cores RGB Material plástico

  Área fotossensível:20,8 × 2,4 mm

  Intervalo de resposta espectral:400 a 540 Nm

  Corrente escura (máximo):0.02 NA

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  S2386-18K Fotodiodos Si para fotometria de propósito geral visível a infravermelho próximo Alta sensibilidade

  Pacote:TO-18

  Tensão reversa:30 V

  Temperatura operacional:-40 a +100°C

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  S1337-1010BR Fotodiodo de Si para Fotometria de Precisão UV a IV Baixa Capacitância

  Material da janela:Concha de resina

  Pacote:15*16,5 mm

  Fotossensíveis são tamanho:10*10mm

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  BPW21R Planar PN fotodiodo de silício de baixa corrente escura TO-5 Pacote

  Tensão reversa:10 V

  Dissipação de energia:300 mW

  TEMPERATURA DE JUNÇÃO:125°C

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