CHINA Sensor fotoelétrico infravermelho

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  S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silício de baixa capacidade UV para NIR para fotometria de precisão

  Área sensível:3.6 × 3.6 mm

  Número de pixels:1

  Refrigeração e:Não resfriados

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  S16838-01MS silicon photodiode for Visible Light Intensity Measurement Color Identification & Sorting

  Área fotossensível:2,8 × 2,4 mm.

  Faixa de resposta espectral:320nm a 730nm

  Fotossensibilidade:0.3a/w

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  S16838-02MS Silicon photodiode For Optical Detection Equipment Automated Industrial Production Line

  Área fotossensível:2,8 × 2,4 mm

  Faixa de resposta espectral:320 a 1100 nm

  Tip de sensibilidade ao pico.:0,58a/w

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  S10227-10 Photoelectric Sensor Small-sized Resin-sealed CMOS Image Sensor For Barcode Scanning Displacement Measurement

  Dimensões de pixel:12,5 × 250μm.

  Faixa de resposta espectral:400 - 1000nm.

  Taxa de dados de vídeo:Até 5MHz

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  Infrared Light Source JSIR350-4-AL-R-D6 For NDIR Gas Analysis Industrial Commercial

  Faixa de saída espectral:TIPO. 1 - 20 μm

  Resistente ao calor:40 ± 20 Ω

  Constante de tempo:Senhora 15

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  O fotodiodo de silício de alta confiabilidade YJJ S1226-8BK é adequado para fotometria de precisão da luz ultravioleta à luz visível

  Recebendo a superfície:5.8 × 5,8 mm

  Categoria de pacote:TO-8

  Voltagem inversa (máximo):5V

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  Sensor de fotodiodo UV S1133-01 para medidor de exposição e iluminômetro

  Tamanho da área ativa:2.4 x 2.8

  Área activa efectiva:6.6

  Voltagem inversa VR Max. (V):10

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  S6931-01 Fotodiodos de silício moldados em embalagens de plástico transparente

  Lado receptor de luz:2.4 × 2,8 mm

  Encapsulamento:Plásticos

  Resfriamento:De peso superior a 20 g/m2

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  S6775 S6775-01 Fotodiodo PIN de silício Resposta de alta velocidade

  Lado receptor de luz:5.5 × 4,8 mm

  Encapsulamento:Plásticos

  Refrigeração:De peso superior a 20 g/m2

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  Fotodiodo S7686 Si de elevada sensibilidade com comprimento de onda de pico de sensibilidade a 550 nm e gama de resposta espectral de 480-660 nm

  Tensão reversa:10 v

  Temperatura operacional:-10 a +60 °C

  Temperatura de armazenamento:-20 a +70 °C

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  Fotodiodos de pin de silício S1226-8BK S1226-8BQ

  Lado receptor de luz:5.8 × 5,8 mm

  Encapsulamento:metal

  Categoria de pacote:TO-8

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  EMIRS200-AT01T-BR090 Fonte de luz infravermelha portátil de baixa potência para analisadores de gases portáteis

  Faixa espectral:2 ~ 14 μm

  Comprimento de onda de emissão de pico:9,6 μm (absorção de CO₂)

  Poder brilhante:33 MW (a 500 ° C)

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