CHINA Sensor fotoelétrico infravermelho

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  YJJ S1223 S1223-01 O fotodiodo PIN de silício é usado para determinação fotométrica precisa na luz visível até a faixa infravermelha próxima

  Superfície iluminada:3.6 × 3.6 mm

  Embalagem:Metal

  Categoria de embalagem:TO-5

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  YJJ G6854-01 InGaAs PIN Fotodiodo Lente Esférica Janela embalada

  Dissipação de calor:tipo não-refrigerando

  Faixa de comprimentos de onda de sensibilidade:00,9 a 1,7 μm

  Comprimento de onda de sensibilidade máxima (valor típico):10,55 μm

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  S16767-01MS Fotodiodo de silício de baixa corrente escura para faixa visível Embalagem pré-moldada

  Área fotossensível:20,8 × 2,4 mm

  Embalagem:Plastico

  Refrigeração:Uncooled

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  Fotodiodos de silício visíveis na banda infravermelha S16840-02MS com sensibilidade fotossensível de 0,3 A/W e tempo de elevação de 2,5 μs

  Corrente escura:pA 10

  Tempo de elevação:2,5 μs

  Sensibilidade fotossensível:0.3 A/W

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  YJJ S16838-01MS O fotodiodo de silício é usado na luz visível até a faixa infravermelha próxima

  Capacidade de junção:700 pF

  Tempo de elevação:2,5 μs

  Corrente escura:pA 10

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  YJJ S16765-01MS O fotodiodo de silício é usado na luz visível até a faixa infravermelha próxima

  Sensibilidade fotossensível:0.3 A/W

  Corrente escura:pA 10

  Tempo de elevação:2,5 μs

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  YJJ S16767-01MS O fotodiodo de silício é usado na luz visível até a faixa infravermelha próxima

  Sensibilidade fotossensível:0.3 A/W

  Corrente escura:pA 10

  Tempo de elevação:2,5 μs

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  A matriz de fotodiodos de silício YJJ S4111-35Q é usada na faixa ultravioleta a infravermelho próximo

  Tamanho do pixel:0.9 × 4,4 mm

  Contagem do pixel:35

  Embalagem:De aço inoxidável

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  S1133 S1133-14 S1133-01 Si Fotodiodo Embalagem cerâmica Fotodiodo com baixa corrente escura

  Tamanho da área ativa:2.4x2.8

  Área activa efectiva:6,6

  Voltagem inversa VR Max.:10

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  G12180-005A Fotodiodos PIN InGaAs com baixo ruído em embalagem TO-18

  Lado receptor de luz:φ0,5 mm

  Número de pixels:1

  Encapsulamento:Metal

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  G12180-010A Fotodiodos InGaAs PIN de baixa capacidade de junção com comprimento de onda de sensibilidade de 0,9 a 1,7 μm e encapsulamento metálico

  Lado receptor de luz:φ1,0 mm

  Número de pixels:1

  Encapsulamento:Metal

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  UVTRON R9533 Instalação fácil na maioria dos dispositivos com alta sensibilidade e amplo campo de visão usando material de elétrodo Ni

  Material do eléctrodo:NI

  Peso:2,5 g

  [Classificação máxima]:30 mA

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